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半導(dǎo)體可飽和吸收體
MoS2作為可飽和吸收體的被動(dòng)調(diào)Q激光器實(shí)驗(yàn)裝置的示意圖如圖所示：在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶體中，Ho3的5I7→5I8激光躍遷用于實(shí)現(xiàn)2 μm波長范圍的激光發(fā)射。 Tm,Ho:YAP 晶體用于具有155毫米物理腔長的諧振腔。晶體的端面鍍有790-800nm和 1.9-2.2 μm的涂層，反射率小于0.5%。一個(gè)裝有液氮的杜瓦瓶被設(shè)計(jì)用來將激光晶體冷卻到 77 K 的溫度。兩個(gè)激光二極管的中心輸出波長分別為 794.1 nm 和 794.0 nm，對應(yīng)的輸出功率分別為20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。實(shí)驗(yàn)中 LD的溫度選擇為 298.1 ...
制吸收損耗的可飽和吸收體調(diào)Q。電光調(diào)Q技術(shù)：電光調(diào)Q技術(shù)的原理是普克爾斯（Pockels）效應(yīng)——即一級電光效應(yīng)，電光晶體的雙折射效應(yīng)與外加電場強(qiáng)度成正比，偏振光經(jīng)過電光晶體后，偏振面旋轉(zhuǎn)的角度與晶體長度和兩側(cè)所加電壓的乘積成正比。電光調(diào)Q激光器的原理圖如下所示：目前普遍應(yīng)用的電光晶體有KD*P（磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)）晶體和LN（鈮酸鋰LiNbO3）晶體。當(dāng)線偏振光入射到電場中的晶體表面，分解成初相位相同的左旋和右旋兩束圓偏振光。在晶體中，兩束光線的傳播速度不同。即從晶體中出射時(shí)，兩束光線存在相位差。則合成的線偏振光的偏振面已經(jīng)和入射光的偏振面存在相位差，稱為旋光效應(yīng)。 ...
的常用裝置是可飽和吸收體。可飽和吸收體是一種光學(xué)器件，它表現(xiàn)出與強(qiáng)度相關(guān)的透射，這意味著該器件的行為取決于通過它的光的強(qiáng)度。對于被動(dòng)鎖模，理想情況下，可飽和吸收體選擇性地吸收低強(qiáng)度光，但透射足夠高強(qiáng)度的光。當(dāng)放置在激光腔中時(shí)，可飽和吸收體會(huì)衰減低強(qiáng)度的連續(xù)光。然而，由于非鎖模激光器所經(jīng)歷的有點(diǎn)隨機(jī)的強(qiáng)度波動(dòng)，任何隨機(jī)的、強(qiáng)烈的尖峰都會(huì)優(yōu)先通過可飽和吸收體傳輸。隨著腔體中的光振蕩，這個(gè)過程重復(fù)，導(dǎo)致高強(qiáng)度尖峰的選擇性放大而低強(qiáng)度光吸收。在多次往返之后，這會(huì)導(dǎo)致激光器的一系列脈沖和鎖模。在頻域中，如果一個(gè)模式具有光頻率 ν 并且在頻率 nf 處進(jìn)行幅度調(diào)制，則生成的信號在光頻率 ν - nf 和 ...
Q開關(guān)是一種可飽和吸收體，這種材料的透射率會(huì)在光強(qiáng)超過某個(gè)閾值時(shí)增加。該材料可以是離子摻雜晶體，如Cr:YAG，用于Nd:YAG 激光器的Q開關(guān)、可漂白染料或無源半導(dǎo)體器件。最初，可飽和吸收體的損耗很高，一旦大量能量存儲(chǔ)在增益介質(zhì)中，就可以產(chǎn)生一些激光。隨著激光功率的增加，它會(huì)使吸收體飽和，即迅速降低諧振腔損耗，從而使功率可以更快地增加。理想情況下，這會(huì)使吸收器進(jìn)入低損耗狀態(tài)，以允許通過激光脈沖有效提取存儲(chǔ)的能量。脈沖結(jié)束后，吸收體在增益恢復(fù)之前恢復(fù)到高損耗狀態(tài)，從而延遲下一個(gè)脈沖，直到增益介質(zhì)中的能量完全補(bǔ)充。脈沖重復(fù)率只能間接控制，例如改變激光器的泵浦功率和腔中可飽和吸收體的數(shù)量。相關(guān)文獻(xiàn) ...
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