MoS2作為可飽和吸收體的被動調Q激光器實驗裝置的示意圖如圖所示：在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶體中，Ho3的5I7→5I8激光躍遷用于實現(xiàn)2 μm波長范圍的激光發(fā)射。 Tm,Ho:YAP 晶體用于具有155毫米物理腔長的諧振腔。晶體的端面鍍有790-800nm和 1.9-2.2 μm的涂層，反射率小于0.5%。一個裝有液氮的杜瓦瓶被設計用來將激光晶體冷卻到 77 K 的溫度。兩個激光二極管的中心輸出波長分別為 794.1 nm 和 794.0 nm，對應的輸出功率分別為20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。實驗中 LD的溫度選擇為 298.1 ...

制吸收損耗的可飽和吸收體調Q。電光調Q技術：電光調Q技術的原理是普克爾斯（Pockels）效應——即一級電光效應，電光晶體的雙折射效應與外加電場強度成正比，偏振光經(jīng)過電光晶體后，偏振面旋轉的角度與晶體長度和兩側所加電壓的乘積成正比。電光調Q激光器的原理圖如下所示：目前普遍應用的電光晶體有KD*P（磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)）晶體和LN（鈮酸鋰LiNbO3）晶體。當線偏振光入射到電場中的晶體表面，分解成初相位相同的左旋和右旋兩束圓偏振光。在晶體中，兩束光線的傳播速度不同。即從晶體中出射時，兩束光線存在相位差。則合成的線偏振光的偏振面已經(jīng)和入射光的偏振面存在相位差，稱為旋光效應。 ...

振蕩器內并用可飽和吸收鏡 (SAM) 鎖模，可在波長（WL 濾波器）在 1020 nm 和 1060 nm 之間，持續(xù)時間為 7 ps，并被放大（前置放大器和Amp) 分兩級，在光隔離器 (Iso) 后面的輸出處達到 400 mW。波長濾波器由一個基于光柵和緊湊型機電光束偏轉的定制光纖耦合濾波器開關時間為 300 μs，比大約 5 ms 的 FOPO 啟動快得多。品質因數(shù)為M2= 1.16±0.07和相對強度噪聲 (RIN) 是在 20.25 MHz，-153.5dBc/Hz 的條件下測量的。除了斯托克斯脈沖之外，在帶有線性諧振器的FOPO中還產生了 7ps長的泵浦脈沖，其基于50厘米的pol ...

微環(huán)諧振器、可飽和吸收器 、電吸收調制器或混合電光方法的非線性閾值器，代表了在不久的將來克服這一挑戰(zhàn)的可能解決方案。早期的“自電光效應(self electrooptic effect)”器件概念也可能提供混合解決方案。zui近發(fā)表了對神經(jīng)形態(tài)光子學和用于神經(jīng)網(wǎng)絡的光子MAC的綜述。在后一篇綜述中，作者提供了光子線性計算系統(tǒng)及其電子對應物的詳細比較，并考慮了能量、速度和計算密度等指標。這項研究的主要見解是，在考慮大處理器尺寸、大向量尺寸和低精度操作時，光子電路在所有這些指標中都表現(xiàn)出優(yōu)于電子實現(xiàn)的優(yōu)勢。然而，作者還指出了電光轉換的高能源成本的長期挑戰(zhàn)，現(xiàn)在正迅速接近電子鏈接(link)的能源成 ...

大器的飽和、可飽和吸收器等多種方法來實現(xiàn)。從那時起，人們提出了許多方案來進一步優(yōu)化這些陣列的實現(xiàn)及其片上訓練過程。雖然 ONN 在學術和工業(yè)界中都受到了相當大的關注，但現(xiàn)在研究人員越來越意識到，改變芯片上的相位是不可取的，而且會顯著掩蓋光子加速器的潛在優(yōu)勢。在這些結構中，相位變化通常由熱光移相器(thermo-optical phase shifter)實現(xiàn)(利用熱光效應，通過施加偏置電流以改變光波導的折射率)。然而，由于大多數(shù)光電材料的熱光系數(shù)相對較小，產生相位變化通常需要數(shù)十至數(shù)百微米數(shù)量級的路徑長度。處理位的數(shù)據(jù)，需要個移相器，隨著數(shù)據(jù)量的增加，這種方案可能會導致系統(tǒng)結構過大。此外，相位 ...

模激光器中的可飽和吸收層的全調制深度，脈沖能量必須足夠高以讓吸收層發(fā)生光漂白。為了滿足這個條件，SESAM上的脈沖能量密度需要5倍于制造商提供的吸收層飽和值。SESAM上另一個重要的參數(shù)是損傷閾值，制造商用強度來表示它。損傷閾值限制了SESAM上的最小光斑尺寸。KGW激光典型輸出功率是2W，我們設計輸出耦合為10%，重復頻率為56MHz，相應的腔內脈沖能量是0.36uJ。SESAM上的束腰接近250um，產生的能量密度是183uJ/cm2，這個值是飽和注入量70uJ/cm2的2.6X。使用r=500cm(M4)可以獲得11.4X于飽和注入量的能量密度，并且能獲得穩(wěn)定的模式鎖定，但是輸出功率更低 ...

射鏡的半導體可飽和吸收鏡上（SESAM, SAM-1040-2-25.4g; Batop GmbH, Jena, Germany，半導體可飽和吸收鏡的調制深度（或非線性反射率的最大變化率）是1.2%）實現(xiàn)。生成超短脈沖序列通常更傾向于被動鎖模技術，因為被動鎖模比主動鎖模更容易集成進激光諧振腔。半導體可飽和吸收鏡由位于GaAs 等半導體晶片上的布拉格反射鏡組成，并被吸收層覆蓋。脈沖由連續(xù)波激光中支持的多種激光模式的鎖相產生。吸收層在高強度下飽和（即，多個激光模式在吸收層同相），因此優(yōu)先允許大部分腔能量通過吸收層到達反射鏡，在那里它被反射回激光諧振腔。DOI：https://doi.org/10. ...

的常用裝置是可飽和吸收體。可飽和吸收體是一種光學器件，它表現(xiàn)出與強度相關的透射，這意味著該器件的行為取決于通過它的光的強度。對于被動鎖模，理想情況下，可飽和吸收體選擇性地吸收低強度光，但透射足夠高強度的光。當放置在激光腔中時，可飽和吸收體會衰減低強度的連續(xù)光。然而，由于非鎖模激光器所經(jīng)歷的有點隨機的強度波動，任何隨機的、強烈的尖峰都會優(yōu)先通過可飽和吸收體傳輸。隨著腔體中的光振蕩，這個過程重復，導致高強度尖峰的選擇性放大而低強度光吸收。在多次往返之后，這會導致激光器的一系列脈沖和鎖模。在頻域中，如果一個模式具有光頻率 ν 并且在頻率 nf 處進行幅度調制，則生成的信號在光頻率 ν - nf 和 ...

Q開關是一種可飽和吸收體，這種材料的透射率會在光強超過某個閾值時增加。該材料可以是離子摻雜晶體，如Cr:YAG，用于Nd:YAG 激光器的Q開關、可漂白染料或無源半導體器件。最初，可飽和吸收體的損耗很高，一旦大量能量存儲在增益介質中，就可以產生一些激光。隨著激光功率的增加，它會使吸收體飽和，即迅速降低諧振腔損耗，從而使功率可以更快地增加。理想情況下，這會使吸收器進入低損耗狀態(tài)，以允許通過激光脈沖有效提取存儲的能量。脈沖結束后，吸收體在增益恢復之前恢復到高損耗狀態(tài)，從而延遲下一個脈沖，直到增益介質中的能量完全補充。脈沖重復率只能間接控制，例如改變激光器的泵浦功率和腔中可飽和吸收體的數(shù)量。相關文獻 ...