半導(dǎo)體PN結(jié)及其單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有共價鍵結(jié)構(gòu)，通常使用的半導(dǎo)體硅為四價，具有四個價電子。純凈的結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電能力較差，其受到熱激發(fā)后，部分價電子獲得能量克服共價鍵束縛，稱為可以在晶格中自由運動的自由電子，而原共價鍵中出現(xiàn)一個空位，稱為空穴。自由電子和空穴都是載流子，載流子則是可以運輸電流的載體。由于本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性較差，因此為了提高其導(dǎo)電性會在其中摻入少量雜質(zhì)，形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體PN結(jié)則是由一個P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組合而成。N型半導(dǎo)體：N型半導(dǎo)體是在純凈的硅晶體中摻入五價元素（磷和砷）組成的。雜質(zhì)中四個價電子與硅組成共價 ...

主要的結(jié)構(gòu)為PN結(jié)，在P型硅上面構(gòu)建N型半導(dǎo)體層，就形成了一個N+/P型的PN結(jié)。當太陽光照射到PN結(jié)時，能量大于等于硅半導(dǎo)體禁帶寬度的光能，被半導(dǎo)體吸收，產(chǎn)生電子-空穴對。在空間電荷區(qū)，產(chǎn)生的電子-空穴對在自建電場的作用下漂移，在外電路產(chǎn)生光電流（太陽能電池結(jié)構(gòu)和原理如下圖）。硅太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖太陽能電池工作原理圖除了半導(dǎo)體PN結(jié)材料本身，太陽能電池的制備工藝是極其復(fù)雜的，有許許多多道工序（如下圖），為了保證制備的太陽能電池的性能，減少缺陷，必須嚴格把控每一個步驟（下圖是硅太陽能電池制備工藝流程圖）。硅太陽能電池制備工藝流程圖通過太陽能電池制造工藝的流程可以發(fā)現(xiàn)，太陽能電池的制備和生產(chǎn)是 ...

體材料構(gòu)成的PN結(jié)，后者則是光纖。而在光纖放大器中，根據(jù)放大機理的不同，又可區(qū)分為稀土摻雜放大器（如摻鉺光纖放大器，）和分布式光纖放大器（如拉曼光纖放大器）等。二、半導(dǎo)體光放大器在半導(dǎo)體增益材料中，通過受激發(fā)射，可以實現(xiàn)光的放大，這就是半導(dǎo)體光放大器（SOA）的基本原理。對SOA的研究開始于1961年發(fā)明半導(dǎo)體激光器不久，但直到20年后人們才認識到它在光波系統(tǒng)中具有重要的應(yīng)用前景，由此開始了更為廣泛的研究和開發(fā)。SOA主要包括兩類：一類由無反射鏡面的激光器構(gòu)成，稱之為行波激光器放大器；另一類則由反射鏡面、但工作在激光閾值之下的激光器構(gòu)成，稱作共振激光放大器，其增益理論上可達25-30 dB，噪 ...

術(shù)成熟，采用PN結(jié)或二氧化硅（SiO2）隔離層隔離噪聲，成像質(zhì)量相對CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢。由于CMOS光電傳感器集成度高，各光電傳感元件、電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾較嚴重，噪聲對圖像質(zhì)量影響很大，使CMOS光電傳感器很長一段時間無法進入實用。近年，隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展，為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。5. 集成性從制造工藝的角度看，CCD中電路和器件是集成在半導(dǎo)體單晶材料上，工藝較復(fù)雜，。CCD僅能輸出模擬電信號，需要后續(xù)的地址譯碼器、模擬轉(zhuǎn)換器、圖像信號處理器處理，并且還需要提供三組不同電壓的電源同步時鐘控制電路，集成度非常低。而C ...

構(gòu)通常是1個PN結(jié)，中間是本征層，也稱之為耗盡層或耗盡區(qū)，入射的光子在耗盡區(qū)激發(fā)自由電子和空穴，并引導(dǎo)它們分別向兩極運動，從而產(chǎn)生光電流。表征光電二極管時，我們會用到量子效率，這里其實是指內(nèi)部量子效率，即產(chǎn)生的電子數(shù)與進入載荷子區(qū)的光子數(shù)之比，用于確定光電二極管的性能。光電二極管的響應(yīng)度，對應(yīng)外部量子效率，即產(chǎn)生的電子數(shù)與所有到達二極管表面的光子數(shù)之比，包括因表面反射或吸收而沒有進入載荷子區(qū)的光子，所以一般內(nèi)部量子效率高于外部量子效率。這種探測器的優(yōu)勢和缺點分別是：優(yōu)勢：響應(yīng)速度快、靈敏度高、線性度好、噪聲低、暗電流小、尺寸小。缺點：易飽和、光譜范圍有限、易受溫度影響、有效區(qū)域有限、放大電路。 ...

效面積；d為PN結(jié)的耗盡層厚度。其中A越小，則越小(即響應(yīng)速度越快)；其次還可以通過縮短耗盡曾厚度來是響應(yīng)速度加快。相關(guān)文獻：[1].Toru.Y.(2015) “光學(xué)計量手冊”,[M]:67-71更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝，培訓(xùn)，硬件開發(fā)，軟件開發(fā)，系統(tǒng)集成等服務(wù)。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.arouy.cn了 ...

種基于半導(dǎo)體PN結(jié)橫向光電響應(yīng)的光電器件，根據(jù)入射光斑的質(zhì)心輸出電壓，兩個PSD分別用于檢測光束的位置偏移和角度偏移，控制器檢測到偏移信息后經(jīng)過算法將反饋信息給到FSM，控制FSM的旋轉(zhuǎn)，實現(xiàn)對主光束的指向糾偏。下圖為使用該系統(tǒng)前后的光斑位置偏移情況，可以明顯看到在該系統(tǒng)工作之前光斑的位置是不穩(wěn)定的，有較大偏移；而在系統(tǒng)開始工作之后，光斑位置基本被控制在原點附近，位置穩(wěn)定性顯著提高。上海昊量光電作為德國TEM的指向穩(wěn)定系統(tǒng)產(chǎn)品在中國大陸唯yi擁有成熟使用經(jīng)驗，完整技術(shù)支持的du家授權(quán)代理商，可以為您提供更好的使用體驗，讓您的產(chǎn)品在手中可以發(fā)揮出zui優(yōu)越的性能。如果您對激光指向穩(wěn)定系統(tǒng)有興趣， ...

，其工作基于PN結(jié)的橫向光電效應(yīng)，當PN結(jié)的P側(cè)受到了光的照射，照射點附近就會因為光的激發(fā)而產(chǎn)生大量的電子—空穴對，I層具有較大的阻值，同時空穴的遷移率高于電子，這就導(dǎo)致多余的電子只能像兩側(cè)移動，由于電子帶負電，所以出現(xiàn)了照射點附近帶正電而兩側(cè)帶負電的情況。又因為P層阻值均勻，故我們可以根據(jù)兩側(cè)的電壓值來判斷實際光斑位置，將PN結(jié)和運算電路相組合就構(gòu)成了我們熟悉的一維PSD。二維PSD的工作原理與一維PSD相同，其共有四個電極，如下圖所示，可以用于分辨光斑在二維空間的位置。常見的二維PSD可以根據(jù)電極和光敏面的位置分為方形，枕形和雙面形。當光斑落到PSD的感光面上，四個電極就會因為橫向光電效應(yīng) ...

拉曼探測技術(shù)分類與發(fā)展1. pmt和mcpS在20世紀40年代，pmt首次被用作拉曼實驗的光敏弱光探測器。門控只能通過外部觸發(fā)脈沖來實現(xiàn)，在20世紀60年代，pmt被用于門控受激光散射識別，為未來的TG拉曼探測器鋪平了道路。后來的mcp使熱重測量達到飛秒范圍。在這種檢測布置中，使用微通道板將圖像增強器置于光電二極管陣列的前面。圖像增強器的線性問題限制了它們與熱重測量裝置相結(jié)合的適用性。通過強化光電二極管陣列可以進一步提高靈敏度。原則上，mcp是真空管組件中的電子倍增器，它將入射電荷倍增到二次發(fā)射。由于有許多通道允許空間分辨率，mcp可用于解決時間延遲。它們還能夠在MHz區(qū)域快速切換，使其適用于 ...