成了PN結(jié)（阻擋層）。N區(qū)自由電子向P區(qū)擴散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)就形成帶正電離子，P區(qū)就形成帶負(fù)電離子。于是PN結(jié)形成了由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場。這個內(nèi)電場會產(chǎn)生兩種性質(zhì)：1.阻礙多子擴散運動（N區(qū)自由電子向P區(qū)擴散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散）2.促進(jìn)少子漂移作用（由本征激發(fā)產(chǎn)生的自由電子和空穴，數(shù)量極少）由于內(nèi)電場的這兩種性質(zhì)，當(dāng)給PN結(jié)加正向電壓時（P區(qū)接正極，N區(qū)接負(fù)極），形成的外電場會與內(nèi)電場方向相反，外電場的引入促進(jìn)了多子擴散，削弱了內(nèi)電場，電流可以順利通過，形成較大的擴散電流。由于擴散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，則可以忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)接反向電 ...

a) 包含阻擋層的有機半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結(jié)構(gòu)填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結(jié)構(gòu)。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關(guān)閉 LED 來評估有機半導(dǎo)體器件的響應(yīng)時間。如圖2所示，富勒烯受體有機半導(dǎo)體表現(xiàn)出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應(yīng)時間受內(nèi)部電容和電荷傳輸時間的影響，推測 PC71BM 具有較高的內(nèi)部電容和較大的陷阱位點。非富勒烯受體OPD器件的上升和下降時間分別為2.72 μs和4.32 μs。圖2 a ...

之間穿過絕緣阻擋層的隧道電流依賴于磁層中磁化方向的相對方向。例如，這種效應(yīng)目前應(yīng)用于數(shù)字磁記錄的讀磁頭，并將用于目前正在開發(fā)的未來磁隨機存取存儲器。c自旋轉(zhuǎn)矩傳遞:由兩個鐵磁層組成的納米結(jié)構(gòu)堆棧中，由自旋極化電子對其中一層磁化所施加的轉(zhuǎn)矩引起的鐵磁層磁化的電流感應(yīng)開關(guān)。這是一種在磁阻器件中轉(zhuǎn)換磁化強度的方法，目前正在深入研究中。d自旋晶體管:三端器件，其中發(fā)射極(E)和集電極(C)之間的電流取決于發(fā)射極和基極(B)之間的電流，此外，還取決于兩個鐵磁層的相對方向。e帶隧道勢壘的自旋晶體管:像(d)一樣的三端器件，其中發(fā)射極偏置電壓可以用來調(diào)節(jié)注入集電極的電子的能量。zui后兩個裝置僅僅代表了所謂 ...

件中集成絕緣阻擋層，使實驗人員能夠靈活地在不同的偏置電壓下操作同一器件，從而注入不同能量的熱電子。對類似結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，在室溫下產(chǎn)生了3400%的磁阻效應(yīng)。傳輸比，即這種器件的基極電流和集電極電流之間的比率，目前小于1(在10?6和10?4之間，因此不會獲得像實際晶體管那樣的放大。然而，通過磁性來編程或控制邏輯運算的想法是在開發(fā)更有效的自旋注入半導(dǎo)體方面，人們付出了巨大的努力。目前出現(xiàn)的另一種方法是通過電場來操縱多鐵性系統(tǒng)的磁化。多鐵性材料具有耦合的電、磁和結(jié)構(gòu)序參數(shù)，從而同時具有鐵電性、鐵磁性和鐵彈性。在這種共存的情況下，磁化可以受到電場的影響，而電場的極化可以受到磁場的影響，這種特性被稱為“ ...

0.35As阻擋層以粗體標(biāo)示，Ga0.32In0.68As井層以楷體標(biāo)示，n摻雜2.11017 cm?3層以下劃線標(biāo)示。我們計算了該結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)能帶能量圖，作為施加電場從87到116 kV/cm的函數(shù)，得到預(yù)期的過渡頻率范圍從2137到2583 cm?1，如圖1b所示。計算由于“對角線”躍遷設(shè)計固有的線性斯塔克效應(yīng)，頻率隨著外加電場的增加而增加偶極矩陣元表示光躍遷的強度，在103 kV/cm指定電場附近達(dá)到Max值，與防交叉場重合。由于發(fā)射頻率取決于工作閾值電壓，激光閾值電壓的變化可以實現(xiàn)增益譜的調(diào)諧。前者可以通過改變閾值電流密度來實現(xiàn)，而閾值電流密度又可以通過改變腔長來非常有效地改變。圖1為了 ...

為：從注入層阻擋層厚度開始，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ 4.40/ 1.3/3.87/ 1.4/3.72/ 2.3/2.88/ 1.8/2.58/ 1.9/2.29/ 2.0/ 2.19/ 2.2/2.09/ 2.2/1.86/ 2.9/1.86,Al0.64In0.36As層以正字體打印，Ga0.33In0.67As層以斜體字體交替打印。所有層都生長在n摻雜Si， 21017 cm?3 InP襯底上。活性區(qū)有30個活性/注入器堆棧，平均摻雜從原來的21016 cm - 3減少到標(biāo)稱的1.61016 cm- 3。InGaAs波導(dǎo)層的厚度從0.3增加到0.4 um， InGaAs ...