本的結構之一異質結為例,我們都知道異質結是兩種不同的半導體相接觸形成的界面區域,那大家猜猜何謂垂直異質結,何謂側向異質結？何謂核殼異質結？答案很簡單,顧名思義,當兩種不同的半導體材料縱向堆疊,此時形成的界面區域就是垂直異質結；當一種半導體材料在x-y平面內包含另一種半導體材料,此時形成的界面區域就是側向異質結；當一種半導體材料在x-y-z空間內包含另一種材料,此時形成的界面區域就是核殼異質結.目前異質結主要是由二維材料和石墨烯相互組合形成的,前段時間看了篇報道,是一些同行對一篇名為“Will Any Crap We Put intoGraphene Increase Its Electroca ...

為了形成范德華異質結構（vdWHs），垂直集成了二維層狀材料，在這篇文章中首先研究和設計了垂直場效應晶體管（VFET）的范德華異質結在不同漏極偏壓，柵極偏壓和金屬功函數下的遷移率，WSe2中的陷阱是主要散射來源，它影響了垂直遷移率和三種不同的傳輸機制：歐姆傳輸、陷阱受限傳輸和空間電荷受限傳輸。通過提高WSe2的費米能級來抑制陷阱態，可以提高VFET的垂直遷移率，這可以通過施加高的漏極電壓來增加注入的載流子密度，或者可以通過分別施加柵極電壓和降低金屬功函數來減小石墨烯/WSe2、金屬/WSe2異質結的肖特基勢壘來實現。圖1圖1 石墨烯/WSe2/金屬垂直場效應晶體管VFET結構 a)VFET源極 ...

異質結構厚度測量基于ZnO的異質結構用于LED應用。在異質結構中使用多對相同的層來放大光發射。使用MProbe UVVisSr系統(200nm -1000nm)測量層的厚度并驗證其光學色散。該結構具有重復60次(ZnO/Al2O3) × 60次的ZnO和Al203層對。為了確定ZnO和Al2O3的光學常數，測量了這兩種材料的兩厚樣品。圖1 厚氧化鋁樣品的測量:模型與測量的擬合。測定了Al2O3的厚度和光學常數。測量厚度:269 nm(光色散見圖2)圖2 測量所得Al2O3的光學色散。色散用柯西近似表示圖3 Al2O3薄樣品。從厚Al2O3樣品測定的光學色散在這里被用來驗證樣品的性質是有效的薄膜 ...

導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料系統的帶隙決定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體材料。相反，它由一系列周期性的不同材料 ...

的傳統SOT異質結構中，SOT可以來源于體旋Hall效應(SHE)和界面Rashba效應(33,34)，這導致了兩個正交成分: 類Slonczewski轉矩(類阻尼轉矩)m × m × σ，類場轉矩m × σ，其中m為磁化單位矢量，σ為自旋極化矢量。類阻尼力矩主要來源于SHE，負責電流驅動的疇壁運動和磁化開關。在SAF結構中，頂部(TM)和底部(BM)磁層通過非磁性間隔層耦合，這兩層的磁化強度一直反向平行排列，如圖1a所示。磁化開關行為可以從SHE和DMI的角度來解釋。由于HM/BM界面的強自旋軌道耦合和由此產生的DMI，BM疇壁“↓→↑”和“↑←↓”為Néel-type，具有左手手性。注入電 ...

激子猝滅和在異質結中從供體到受體的電荷載流子轉移。對于第1點，PC71BM 薄膜的單重態激子壽命τS1為10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 這是由于PC71BM有更多的缺陷位點，延遲了PL淬火。對于第二點，測量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏層中的單重態激子衰減與快速擴散到供體-受體界面有關，而長壽命組分與電荷分離后的電荷復合有關。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更長，這意味著源自陷阱位點的電荷轉移狀態中的電荷復合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表現 ...

了有機半導體異質結界面對光的高效上轉換。這個過程是由界面處的電荷分離和重組介導的電荷轉移狀態實現的。作者：Seiichiro Izawa & Masahiro Hiramoto原文鏈接: https://www.nature.com/articles/s41566-021-00904-w5 快報標題: 合成螺旋二色性用于六維光學軌道角動量復用簡介：通過無序納米聚集體中的無序誘導合成螺旋二色性，實現了復用軌道角動量狀態作為數據加密的獨立和正交信息載體。作者：Xu Ouyang，Yi Xu，... Xiangping Li原文鏈接: https://www.nature.com/artic ...

，具有埋入的異質結構（BH，紅色矩形）增益區和光柵耦合器（GC）在末端工作組。比例尺，2 μm。e，光學 Fano BIC 的示意圖。f，制造的 Fano BIC 激光器橫截面的 SEM 圖像，顯示了包含 BH 的有源 WG 和無源納米腔。BH 在器件切割后被蝕刻掉。比例尺，200 nm。參考文獻：Yu, Y., Sakanas, A., Zali, A.R. et al. Ultra-coherent Fano laser based on a bound state in the continuum. Nat. Photon. (2021).DOI：https://doi.org/10.1 ...

究垂直范德華異質結構(vdWHs)的不同尋常的特性和特殊的器件性能，這種異質結構是基于通過vdW相互作用將2dm按精確順序逐層垂直疊加而成的。vdWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，結合了不同2dm的優點，為新功能的設計提供了巨大的機會。為了識別2DMs和vdWHs的各種基本性質，需要一種方便的原位表征技術。在眾多的表征方法中，拉曼光譜是一種快速、無損的表征方法，具有較高的空間和光譜分辨率，在實驗室和大規模生產中都很適用。一般來說，2DMs中晶格振動(即聲子)的拉曼峰具有幾個突出的特征，包括線的形狀、峰的位置(Pos)、半Z大值處的全寬度(FWHM)和強度(I)，這些特征包含了描述2DMs的 ...

塊體砷化鎵中的磁光克爾效應塊體GaAs中pMOKE的起源可以通過考慮導帶中自旋向上和自旋向下狀態的不均勻占據來理解，如下側圖1所示。導帶中的自旋不平衡導致兩個自旋居群的費米能級存在差異。這對于能量接近帶隙能量的光子的吸收有重要的影響。能量僅略高于Eg的光子只能激發躍遷進入自旋下子帶。躍遷到自旋向上子帶只有在光子具有較大能量時才有可能。圖1.左:大塊砷化鎵中左圓偏振光(lc)和右圓偏振光(rc)的光躍遷，從重帶(hh)和光孔帶(lh)躍遷到導帶。右:計算出n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外，躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極 ...