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更厚的半導體有源層導致更差的熱性能和更具有挑戰性的制造，等等。值得注意的是，2001年Beck等人基于9.1μm inp匹配設計首次演示了QC激光器的室溫(RT)連續工作(CW)，而由于高應變InGaAs/InAlAs材料生長技術的改進和發展，才在MWIR波長下演示了高功率RT連續工作，從而實現了防止高能電子從較高激光能級泄漏到更高激光能級的設計活躍區域的能量水平。這是提高QC激光器的特征溫度T0和T1的關鍵因素之一，從而在高溫下實現高連續波功率發射。如今，量子級聯激光器是一種完全可部署的設備，可在室溫及以上環境下工作，能夠在具有挑戰性的環境條件下操作和存儲。總的來說，這種技術的成熟程度正在接 ...
成了HTL和有源層之間的界面層，這不僅可以保護活性層免受劣化，還可以促進和平衡電荷-載流子傳輸現象。理想情況下，空穴界面層應（i）易于制造，（ii）在表面能方面與PEDOT：PSS HTL和活性層兼容，（iii）具有能級適合的分子軌道（HOMO），以及（iv）表現出良好的導電性和高空穴傳輸率。從這個角度來看，石墨烯（Gr）因其可調功函數和良好的電導率，比許多二維（2D）材料更受青睞。使用商業化學氣相沉積（CVD）石墨烯被認為是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇。然而，高電導率和電子空穴以及良好的電荷親和力反而會干擾器件中的電荷傳輸。石墨烯的sp 2平面內碳的惰性性質不適合 ...
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