DMD)、多量子阱空間光調制器以及聲光調制器等。還可以用紫外光刻來制作特定的衍射光學元件來調制光場。現在用的較多的是由計算機尋址的液晶空間光調制器實現全息元件，通過改變全息元件就可以使得所形成的光阱作動態變化。在計算機出現之前，需要采用激光全息的方法形成有限形狀的全息圖。目前在計算機的輔助下，可以實現任意形狀的全息圖。不過，每實現一種新設計的光阱，都需要重新計算相應的全息圖。隨著計算機速度的不斷刷新以及新的算法的出現，在一般的科研實驗室已經可以很容易實現任意形狀的全息光鑷。原則上全息光鑷可以產生任意形狀、大小、數量的光阱。通過改變捕獲光的相位分布，可以使捕獲粒子在光阱中按設定的路線運動，為實現 ...

石墨烯如上圖所示為韓國東國大學Woochul Yang教授的研究工作，為探究納米顆粒裝飾的石墨烯的摻雜濃度和穩定性，采用顯微拉曼系統（Xper Ram200）測試了它們的拉曼光譜。圖中分別為原始石墨烯和摻雜不同濃度Mn3O4顆粒的石墨烯的拉曼光譜圖，展示了具有D，G和2D峰特征的原始石墨烯和摻雜石墨烯的拉曼光譜的演變。D峰（ω~1350cm-1）是石墨烯的無序振動峰，只有當缺陷存在時才能被激活。G峰（ω~1580cm-1）是sp2碳原子面內振動引起的，通常與應力有關，因此可用來反映石墨烯層數。2D峰是雙聲子共振二階拉曼峰，用來反映多層石墨烯的堆垛方式。二硫化鉬MoS2如上圖是首爾國立大學Tak ...

過在半導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料系統的帶隙決定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體材料。相反，它由一系列周期性的不 ...

是通過超晶格量子阱[1]內能級間的子帶間躍遷來實現的。自1994年首次實驗演示以來，QCL技術得到了巨大的發展。這些性能水平是結構設計、材料質量和制造技術不斷改進的結果[3-5]。目前，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內的激光源，并在氣體傳感、環境監測、醫療診斷、安全和國防[6]中有許多應用。西北大學量子器件中心(CQD)的目標是推進光電技術，從紫外到太赫茲光譜區域。這包括基于III-V半導體的許多不同技術的發展[7,8]。自1997年以來，CQD在量子級聯激光器QCL的發展上投入了相當大的努力，特別是在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束質量方面，推動QCL ...

非對稱半導體量子阱中子帶間位移電流的單周期太赫茲脈沖簡介：展示了一種源自電子位移電流的非對稱半導體量子阱中的新型超快非線性光學響應，由飛秒中紅外脈沖引起的共振子帶間激發引起電子電荷的瞬態空間位移，從而引起單周期太赫茲脈沖的發射。作者：Matthias Runge, Taehee Kang, ...Thomas Elsaesser鏈接：https://doi.org/10.1364/OPTICA.438096RESEARCH ARTICLES1.標題：在活體皮層中通過精確和有針對性的激光消融探測神經元功能簡介：開發了一種放大飛秒激光耦合雙光子顯微鏡系統，該系統允許對單個細胞進行瞬時和有針對性的消 ...

頂部涂層的多量子阱SESAM，獲得高飽和通量Fsat=142?J/cm2，調制深度?R=1.1%。(b)激光輸出功率和脈沖持續時間隨總泵浦功率的變化。圖1(a)顯示了我們的自由運行雙光頻梳激光腔的布局。我們使用多模泵浦二極管和端泵浦腔結構，類似于我們之前報道的偏振復用雙梳狀激光器的配置[20,21]。然而，與過去的報道相反，在有源元件，即增益晶體和半導體飽和吸收鏡(SESAM)上的空間分離是通過插入一個具有高度反射涂層的雙棱鏡來獲得的。通過使用一個頂角179°的雙棱鏡，我們獲得了在增益介質上模式分離1.6 mm和在SESAM上模式分離1 mm。圖1(b)顯示了掃描泵浦功率時單個光梳的性能。該孤 ...

是增益材料（量子阱或量子點）還是高反射鏡（分布式布拉格反射鏡，DBR）。通常，增益的光譜寬度為幾十納米，并且可以很容易地通過改變增益層的組成來改變，原則上從近紫外到中紅外。通常，它們必須在比Yb對應物更高的泵浦功率密度下運行，這使得通過更大的泵浦光斑來實現功率縮放變得更加困難。一個圓盤的功率記錄在接近1μm的波長下約為100W，這是使用InGaAsQW實現的。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微 ...

,Ga)As量子阱(QW)系統中，約束勢迫使價帶中重空穴態的軌道角動量和自旋角動量向垂直于QW平面的面外方向運動。此外，約束提升了Γ-point處重空穴態和輕空穴態的簡并性，將輕空穴帶移至較低能量處(見圖1)。考慮到這兩個因素，只有面外極化重空穴才能促進與導電帶電子的復合過程。這對磁光過程有重大影響。在平面內極化電子的情況下，自旋極化角動量守恒阻止了在具有明確螺旋度的圓偏振光發射下具有重空穴的電子的復合。相反，只有線偏振光才能被探測到。圖1.(Al,Ga)As/ GaAs/(Al,Ga)As量子阱異質結構示意圖。Ene表示導電帶中電子的量子化能態。enh和Enlh分別是價帶中重空穴和輕空穴的能 ...

誤差。在基于量子阱的霍爾板中，平面霍爾效應很弱，但問題依然存在。為了解決這個問題，在一個點上檢測三個方向的磁性。SENIS開發了一種劃時代的“完全集成3軸磁傳感器”，使之成為可能。這就是“完全集成的三軸磁傳感器”。該傳感器可以在所有情況下測量精確的3D矢量，例如永磁體的鄰近磁場、小線圈產生的磁場和時間變化，這在過去是不可能的。圖1.傳統的霍爾片3軸探頭（左）和SENIS完全集成3軸磁傳感器（右）3軸磁性探頭的配置傳統的霍爾片3軸探頭SENIS完全集成3軸磁傳感器磁化位置3個位置一個位置（單點）磁感應位置的錯位量取決于傳感器位置（約0.5mm~10mm）無錯位傳感器的相對角度誤差通常不標注（過大 ...

基于“兩步”耦合的寬電壓可調量子級聯激光器在之前的研究中，基于反交叉垂直和對角躍遷以及光子輔助對角躍遷的主流QC激光器設計的電壓可調性，所有設計都顯示電壓可調的EL。然而，基于反交叉垂直躍遷和光子輔助對角躍遷的激光器不能在閾值以上調諧，而基于反交叉對角躍遷有源區的激光器在80 K時的調諧范圍在閾值以上約30 cm?1，遠小于EL在相同電壓范圍內的60-70 cm?1。激光器調諧范圍小的原因在于驅動電子穿過有源區的受激輻射在傳統的QC激光器設計中，大部分電子都聚集在z低注入態和z高激光態。在閾值以下，電子主要通過縱向光學LO聲子散射穿越有源區。在閾值以上，隨著腔內的光強變得越來越強，電子通過受激 ...