便攜式L波段微波輻射計的設計與特性(轉譯自Portable L-Band Radiometer (PoLRa): Design and Characterization;Derek Houtz , Reza Naderpour and Mike Schwank)摘要:介紹了一種適用于地面遙感或無人機測繪的輕質量、小體積雙偏振L波段輻射計。在ESA土壤濕度和海洋鹽度(SMOS)和NASA土壤濕度上有突出的應用主被動(SMAP)衛星的L波段輻射測量可用于反演環境參數,包括土壤濕度、海水鹽度、雪中液態水含量、雪密度、植被光學深度等。介紹了氣隙貼片陣列天線的設計和測試,并顯示可提供37°的3db全功率 ...
情況是太赫茲輻射(0.1到10THz)的產生,由于高效光電導天線的進展,在zui近幾年中太赫茲輻射得到了廣泛關注。THz頻段對于科學和工業應用非常重要,因為它允許對許多在可見光和紅外線下不透明的材料進行非侵入式檢測和分析。應用包括檢測1到5 THz范圍內的光譜特征,以區分外觀相似的塑料和爆炸物[16]、通過不透明包裝進行質量控制監測、對油漆進行微米級精度的非侵入式層厚度測量[17]、高分辨率氣體光譜學、以及作為標簽自由分析生物組織的X射線技術的替代方法(因為THz輻射不會產生電離效應)[18]。這些應用通常采用太赫茲時域光譜技術(THz-TDS)來解決。在THz-TDS中,一個光脈沖列在一個發 ...
然陽光的光譜輻射的裝置。它在皮膚病學中主要用于進行光測試,以確定紅斑劑量,表征太陽能電池,測試防曬霜和其他材料和設備。太陽模擬器的構造相當復雜。不僅要考慮光源的強度,還要考慮光譜響應。可以使用幾種類型的燈作為太陽太陽模擬器的光源。Xe光源通常被使用,因為它們的光譜行為更接近標準太陽輻射,但它們相當昂貴。或者,你可以嘗試耦合多個不同波長的led,但如果你真的想讓你的光譜與太陽光譜相匹配,這也很復雜,可能需要一些光學功;zui常見的選擇之一是使用鹵素燈,在這種情況下,流量可能相似,但光譜分布略有不同。圖1:用于太陽模擬器的鹵鎢燈光譜分布近年來已經證明,超連續譜激光器是一種較好的裝置,可以獲得幾乎完 ...
光子晶體中的輻射模式耦合的電動力學過程等。同時,實驗和理論研究結果都表明,光子晶體光纖可以解決許多非線性光學方面的問題,產生寬帶輻射、超短光脈沖,提高非線性光學頻率轉換的效率,用于光交換等。不難想象,隨著對PCF研究的不斷深入,相信PCF將在光學領域展現出更廣泛的應用前景,并為實現更高效、高性能的光學器件和系統開啟新的可能,從而推動光學技術和科學研究的發展。如果您對光子晶體光纖有興趣,請訪問上海昊量光電的官方網頁:http://www.arouy.cn/three-level-135.html相關文獻:[1]李曙光, 劉曉東, 侯藍田. 光子晶體光纖的導波模式與色散特性[J]. ...
程所有的電磁輻射,其電場和磁場的振動方向互相垂直,傳播方向相同。由于放射物的磁場矢量是由其電場矢量明確定義的,因此偏振分析也只需考慮一個即可。假設角頻率為w的平面簡諧波以速度c在z方向上傳播,λ為波長。 電場矢量含有兩部分Ex(z,t)和Ey(z,t),它可以表示為:式中,Eox和Eoy為波振幅;δx和δy為任意相位;t為時間。這兩部分的相位差可以表示成δ=δx-δy,,其中0≤δ≤2Π。2.橢圓偏振態一般情況下,相互垂直的兩束正弦振蕩的電磁波具有相同的頻率和穩定的相位差,此時所形成的李薩如圖形是一個橢圓,因此,線偏振光和圓偏振光都可以認為是橢圓偏振光的特例。對上面的兩個公式進行運算可以得到一 ...
面意思為受激輻射對光進行放大。中國物理學家錢學森取其意將其命名為“激光”。根據發光持續時間的長短,激光一般被分類為連續激光和脈沖激光。脈沖光是由激光器產生的高強度、高相干性的光信號。與連續光相比,脈沖光具有更高的光強度和更短的脈沖寬度。光的脈沖寬度通常以飛秒(1fs=10-15s)為單位進行測量。隨著激光技術的不斷發展,激光的脈沖寬度也在不斷縮小。1981年,貝爾實驗室的福克等人采用鎖模技術將脈沖激光的脈沖寬度縮小到小于100 fs。2001年,奧地利維也納技術大學的克勞茨研究組在實驗上成功地利用氣體高次諧波產生了脈寬為650 as的單個光脈沖[1],使光脈沖寬度達到阿秒量級。2023年的諾貝 ...
線從北極向外輻射,指南針的針將與它們相切。磁力線離開北極,在南極再次進入磁體,吸引鐵磁體向磁體移動,即使兩者相隔一定距離。圖1 (a)磁鐵或磁化材料外部的磁場表示,(b)放置在磁場H中的長度為l的棒上的一對磁力pH考慮一個長度為l的條形磁鐵,兩端磁極分別為p和-p,置于均勻磁場中(圖1b)。在這種情況下,磁力對產生扭矩L其中θ為外加磁場方向H與條形磁鐵磁化強度方向M之間的夾角。在這種情況下,積pl是棒的磁化強度M。在沒有摩擦力的情況下,力矩所做的功產生勢能U:這個方程特別重要,當討論磁疇和它們的磁化向外施加磁場的重新排列時。可以看出,勢能在θ為0時具有zui小值。當長l趨近于零值,且磁極強度p ...
是一個自發的輻射過程,也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個產生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發光。發光二極管發射的幾乎都是單色非相干光。發射光子的能量和發光二極管輻射光的波長取決于半導體材料形成p-n結的帶隙能。發射光子的能量近似由下列表達式決定:式中,h為普朗克常量;v為輻射光頻率;Eg為帶隙能,即半導體器件導帶和價帶的能量差。電子和空穴的平均動能由波爾茲曼分布決定,即熱能KT。當KT<Eg時,輻射光子能量幾乎和Eg相等,輻射光的波長為:式中,c為光在真空中的速度。發光二極管的發光強度由Eg和KT的值決定。事實上,光強度是光子能量E的 ...
當滿足索末菲輻射條件時就可以不考慮其對P點的貢獻。這樣,透光孔S1,決定了P點出的光波幅值Up。圖1衍射推導菲涅耳-基爾霍夫衍射公式:式中,(r1,n)為單位矢量r1和n之間的夾角,(ro,n)為ro和n之間的夾角。傾斜因子[cos(r1,n)-cos(ro,n)].如果點光源離開孔徑足夠遠,對于孔徑上各點都有cos(r1,n)=1。另外設cos(ro,n)=-cosx,則可得:當P點遠離衍射屏時,x近似等于零,傾斜因子近似等于2,所以上式可改寫:這樣,關于空間某點P處的場值Up就可以極大的簡化得出。圖2中,包含坐標原點O的孔徑被單色平面波照射。這里,利用g(xo,yo)來描述孔徑內某點的光源 ...
映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖,覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像,捕捉到器件上的微小不均勻性,如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率,因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要。利用這些技術,研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題,以確保生產出高效且可靠的太陽能電池。圖1、1040 nm的高光譜數據中提取的硅器件的電致發光圖。圖2、1140 nm的高光譜 ...
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