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的核心之一，極紫外光刻技術作為新一代光刻技術也處于快速發展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導體芯片二氧化硅的主要步驟包括涂布光致抗蝕劑、套準掩模板并曝光、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，以及去除已感光的光致抗蝕劑層。在光刻系統中，激光的指向穩定非常重要，會直接影響光刻的圖形準確性和一致性。影響光束指向穩定的主要因素有三個，分別是激光器本身的位置偏移，處于不同基座上的激光器和照明系統之間的振動差異性以及傳輸過程中的光學系統的擾動。這些擾動會對光刻的質量造成嚴 ...
193nm紫外波前傳感器（512x512高相位分辨率）助力半導體/光刻機行業發展！摘要：昊量光電聯合法國Phasics公司推出全新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析儀!該波前傳感器采用Phasics公司技術-四波橫向剪切干涉技術，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位檢測靈敏度，能夠精確測量紫外光波前的細微變化。SID4-UV-HR 紫外波前分析儀非常適合紫外光學元件表征（DUV光刻、半導體等領域）和表面檢測（透鏡和晶圓等）。193nm 紫外波前傳感器（512x512 高相位分辨率）在半導體/光刻機行業中具有重要作用。該傳感器具有高分辨率，消色差，對震 ...
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