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本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導體芯片二氧化硅的主要步驟包括涂布光致抗蝕劑、套準掩模板并曝光、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，以及去除已感光的光致抗蝕劑層。在光刻系統中，激光的指向穩定非常重要，會直接影響光刻的圖形準確性和一致性。影響光束指向穩定的主要因素有三個，分別是激光器本身的位置偏移，處于不同基座上的激光器和照明系統之間的振動差異性以及傳輸過程中的光學系統的擾動。這些擾動會對光刻的質量造成嚴重影響。首先，激光指向的穩定性對于確保圖形的精確刻蝕至關重要。在光刻 ...
柯西系數如果光致抗蝕劑的柯西系數不可用–使用類似光致抗蝕劑的柯西系數作為起點。步驟 2：創建膠片堆棧Filmstack 代表物理樣本的模型- 它定義了基材和材料層。如果3000nm 的光刻膠沉積在Si 晶圓上，薄膜疊層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料。步驟 3. 進行測量測量實際上是一個兩步過程：數據采集和數據分析。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測量期間，可能會也可能不會得到完美的結果——需要調整膠片疊層。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從厚膜（基于FFT）算法開始。一旦確定了厚度，就可以使用曲線擬合（Mar ...
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