,注入器基態能級與QCL有源區上激光能級能級對齊。使用半波片和偏振片的組合可以旋轉泵的偏振。中紅外探針呈線性橫磁極化(TM),與量子阱的生長方向一致。根據子帶間躍遷的極化選擇規則選擇該偏振。因此,表明不同子帶間能級載流子數量的QCL波導的損耗或增益可以通過中紅外探頭的傳輸直接測量。近紅外泵浦脈沖通過一個機動延遲階段,使泵浦和探頭之間的時間延遲變化為fs。然后,我們使用ZnSe窗口將泵浦脈沖和探測脈沖共線性組合。利用0.56數值孔徑(NA)的非球面透鏡將泵浦脈沖和探頭脈沖耦合到QCL波導中。當泵浦脈沖被阻斷時,我們觀察到隨著QCL偏置的增加,探針透射率顯著增強。因此,我們證實了泵浦脈沖和探針脈沖 ...
。第4和第3能級之間的激光躍遷能量設計為154兆電子伏,能級1、2和3每一級之間相隔大約一個光聲子能量。3級與下一個下游注入器基態(147 meV)之間相對較大的能量間隔旨在抑制熱回填效應。上能級的壽命設計為ps,下能級的壽命設計為2.11ps,偶極矩陣元為1.8 nm。35個周期作為有源核心,夾在兩個0.5 m厚的n摻雜(cm) In Ga as層之間。上層包層由2 m厚的n摻雜(1 cm) InP和1 m厚的n摻雜(cm) InP帽層組成。計算得到的基模強度分布圖如圖1(b)所示。計算得到波導損耗為6.6 cm,約束系數為0.67。采用常規濕化學蝕刻技術制備了雙通道脊波導激光器。沉積0.3 ...
部激發態和低能級之間的能量差。器件光學特性的顯微技術一些允許器件光學特性的技術涉及到顯微鏡的使用。顯微鏡有幾種類型,可以根據光線到達樣品的方式進行分類。因此,一些顯微鏡將使用寬視場輻射操作,而其他顯微鏡將通過定向光束掃描樣品表面(即光片顯微鏡)。此外,其他配置包括使用掃描探針顯微鏡來分析感興趣的表面(即原子力顯微鏡或掃描隧道顯微鏡)。在用顯微鏡對器件進行表征時,輻照光束通過樣品后,被顯微鏡的檢測系統收集吸收或發射的光,生成光學圖像。一個有趣的掃描探針配置的新興領域是NSOM或近場掃描光學顯微鏡技術,它也被稱為SNOM或掃描近光學顯微鏡。它包括一種試圖克服阿貝衍射極限的方法,通過使用納米級纖維探 ...
由此導致的深能級陷阱的減少,從而減少了缺陷介導的非輻射重組,這也有利于PL的增強。這篇文章報告了一種基于二硫化鉬薄膜的噴墨印刷大面積柔性光電探測器陣列。采用電化學剝離法制備多層MoS2納米片。并用3:1v/v松油醇/醇的雙溶劑體系進行分散,可在多種基材上進行大規模噴墨印刷,包括不限于硅和PET。通過控制插層工藝,快速獲得了豐富、少層、均勻、純凈的2H MoS2納米片,并通過原子力顯微鏡和紫外-可見吸收光譜進行了驗證。為了提高器件的性能,使用TFSI對打印后的薄膜進行修飾,將開/關比提高了約20倍。因此,噴墨打印制成的光電探測器具有較高的光響應度和比探測率,分別為552.5 AW-1和1.19 ...
于平衡其費米能級,電子從具有較低功函數的材料(電子供體)流向具有較高功函數的材料(電子受體)。當接觸表面達到平衡狀態時,電子供體帶正電,而電子受體帶負電。在這個階段,這兩種材料的分離導致電子受體中殘留電子。在TENGs中,殘余電子通過外部電路流出,從而恢復到其原始狀態,該過程被設計用來發電。兩種材料之間的功函數差異越大,接觸時從一種材料轉移到另一種材料的電子數量就越大。TENGs的性能與控制兩種接觸材料的功函數,使它們具有較大的差異,增大摩擦電荷直接相關。因此,研究人員一直在尋找增加TENGs中電子受體功函數的方法。一種方法就是選擇電子受體的材料,與電子供體的材料相比,功函數相差較大。MoS2 ...
性、親水性和能級排列,從而對其他器件參數產生副作用。太陽能電池在器件架構中集成了HTL和有源層之間的界面層,這不僅可以保護活性層免受劣化,還可以促進和平衡電荷-載流子傳輸現象。理想情況下,空穴界面層應(i)易于制造,(ii)在表面能方面與PEDOT:PSS HTL和活性層兼容,(iii)具有能級適合的分子軌道(HOMO),以及(iv)表現出良好的導電性和高空穴傳輸率。從這個角度來看,石墨烯(Gr)因其可調功函數和良好的電導率,比許多二維(2D)材料更受青睞。使用商業化學氣相沉積(CVD)石墨烯被認為是成功阻止PEDOT:PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇。然而,高電導率和電子空穴以及良好的電 ...
土離子會發生能級躍遷,實現“粒子數反轉”,反轉后的粒子經弛豫后會以輻射形式再從激發態躍遷回到基態,同時將能量以光子形式釋放,通過后反射鏡(后光柵)輸出激光。昊量光電提供各種摻雜的有源光纖,包括摻餌(Er3+)、釹(Nd3+)、鐠(Pr3+)、銩(Tm3+)、鐿(Yb3+)、鈥(Ho3+)光纖等。此外外還提供各種能量傳輸光纖,能量傳輸光纜,矩形、方形、六角形勻化光纖,光子晶體光纖;光纖合束器、光纖分束器,FBG光纖光柵,光纖耦合的聲光調制器,聲光Q開關,VBG體布拉格光柵等。以及用于對輸出激光功率,模式進行測量的激光功率計,能量計,光束分析儀及M^2光束質量分析儀等。 ...
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