化熒光激發(fā)和發(fā)射光譜。發(fā)射光譜的重疊區(qū)域由綠色陰影表示。灰色陰影區(qū)域表示圖2中用于采集圖像A-C的激發(fā)帶寬(475/28nm)。針對(duì)串?dāng)_的問(wèn)題,雖然已經(jīng)開(kāi)發(fā)出具有窄發(fā)射光譜的量子點(diǎn)納米晶體,可以提供更好的分離光譜。但與有機(jī)染料相比,這種改進(jìn)的代價(jià)是熒光團(tuán)尺寸增加了一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,這反過(guò)來(lái)又阻礙了它們?cè)陔p分子標(biāo)記應(yīng)用中的應(yīng)用。Lumencor的固態(tài)光引擎優(yōu)化了輸出光譜,提供了多個(gè)窄線寬的光源,盡可能實(shí)現(xiàn)對(duì)特定熒光染料的精確激發(fā),而這對(duì)于多重?zé)晒鈾z測(cè)至關(guān)重要,可以有效減小光譜串?dāng)_問(wèn)題的發(fā)生。下圖中是使用Lumencor SPECTRA光引擎、Andor Zyla 5.5 sCMOS相機(jī)和Nikon ...
像素或區(qū)域的發(fā)射光譜。例如,所示的發(fā)射光譜顯示了Eu3+離子很有特征的發(fā)射帶:在590nm處觀察到的帶被指定為Eu3+的磁偶極(MD)5D0→7F1躍遷,而610至630nm區(qū)域的發(fā)射峰則來(lái)自超敏感的強(qiáng)制電偶極(ED)5D0→7F2Eu3+躍遷。這兩個(gè)躍遷的積分強(qiáng)度之比眾所周知,是探測(cè)單晶結(jié)構(gòu)中Ln3+離子周圍化學(xué)環(huán)境的極好探針:Ln3+離子周圍的對(duì)稱性越低,ED/MD比就越大。這允許我們對(duì)Ln3+離子的化學(xué)環(huán)境的對(duì)稱性特征得出結(jié)論。此外,5D0→7F2躍遷的Stark分裂也可以與晶體環(huán)境中Ln3+的對(duì)稱性相關(guān)聯(lián)——對(duì)稱性越低,Stark子能級(jí)的數(shù)量就越多。在針狀多晶型在低對(duì)稱的三斜晶系中結(jié)晶 ...
器的高分辨率發(fā)射光譜。釷氬(Th-Ar)通常用于校準(zhǔn)天文臺(tái)的高分辨率階梯光柵光譜儀。釷在紫外、可見(jiàn)光和近紅外波段發(fā)射出狹窄的光譜線,可以作為精確的參考。光譜中也有亮幾個(gè)數(shù)量級(jí)的氬譜線。物理實(shí)驗(yàn)室教學(xué)工具原子軌道可以用表示總角動(dòng)量的量子數(shù)Mj來(lái)標(biāo)記。在蒸汽室中,被激發(fā)的原子從較高的狀態(tài)弛豫到較低的狀態(tài)時(shí)發(fā)出共振光,并且只有當(dāng)自旋數(shù)Mj相差1或更小時(shí)才允許光學(xué)躍遷。Mj變化為-1的躍遷產(chǎn)生sigma(-)圓偏振光,Mj變化為+1的躍遷產(chǎn)生sigma(+)圓偏振光。在外磁場(chǎng)中自旋能級(jí)的塞曼分裂可以用光譜測(cè)量,并且通過(guò)使用極化來(lái)獨(dú)立分離sigma(-)和sigma(+)躍遷變得更容易。同時(shí)記錄了鎘的4 ...
事實(shí),而拉曼發(fā)射光譜與激發(fā)波長(zhǎng)耦合。該方法值得注意的技術(shù)包括位移激發(fā)拉曼差分光譜(SERDS)和減位移拉曼光譜,兩者都需要在光譜采集之后進(jìn)行額外的步驟。將傳統(tǒng)的連續(xù)波拉曼系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為基于CCD光譜儀的SERDS設(shè)置只需要小小的修改,即合并兩個(gè)稍微波長(zhǎng)移位的激光激發(fā)源,通常在全寬半MAX(FWHM)時(shí)分開(kāi)。一旦熒光變寬或扭曲拉曼峰,計(jì)算方法提高信噪比的能力有限。另一個(gè)缺點(diǎn)是,由于像素對(duì)像素靈敏度的隨機(jī)變化大于實(shí)際的拉曼信號(hào),它們可以忽略尖銳的拉曼峰值。一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)是,由于非常窄的拉曼峰與寬熒光之間的差異,它們可以用于基線校正。當(dāng)樣品顯示出幾十個(gè)波數(shù)的更寬拉曼峰時(shí),這種方法可能會(huì)失敗。此外,在某些 ...
閾值放大自發(fā)發(fā)射光譜。光譜包絡(luò)線的周期性為7cm-1,對(duì)應(yīng)于AMZ干涉儀的透射光譜周期。亞閾值光譜中非常強(qiáng)模式對(duì)應(yīng)的模式發(fā)生激光,對(duì)應(yīng)2073 cm-1,如圖2(a)底部面板所示。在相同的脈沖電流下,典型的分離觸點(diǎn)AMZ QC激光器的脈沖光電流-電壓(LIV)特性(如圖2(b)所示)表明,該器件的閾值電流密度(1.6 kA/cm2),面對(duì)面長(zhǎng)度為1.8 mm,大約是具有單觸點(diǎn)14的AMZ QC激光器(0.8 kA/cm2),面對(duì)面長(zhǎng)度為2.5 mm的兩倍。閾值電流密度的增加是由于單獨(dú)偏置器件的面到面長(zhǎng)度的減小。這也可以部分歸因于額外的散射損失和兩個(gè)區(qū)域的光學(xué)增益系數(shù)的降低,這兩個(gè)區(qū)域缺乏金屬接 ...
R測(cè)量的峰值發(fā)射光譜作為波數(shù)與散熱器溫度的關(guān)系,范圍從80到300 K,不同的腔長(zhǎng)。發(fā)射頻率從2404 cm?1降低到2286 cm?1,即降低了118 cm?1,空腔長(zhǎng)度從0.5 mm增加到3mm。二氧化碳CO2 FTIR吸收光譜如圖2A所示。顯然,在不同溫度下,腔長(zhǎng)為1.5、2和3 mm的qcl與強(qiáng)振動(dòng)旋轉(zhuǎn)吸收帶直接重疊。同樣,可以使用不同的空腔長(zhǎng)度來(lái)故意重疊或避免與選定的CO2特征重疊,如圖2 b。結(jié)果表明,在恒定的散熱器溫度下,腔長(zhǎng)度在1-2 mm范圍內(nèi),跨越整個(gè)吸收光譜。因此,提供了一種方便的后處理策略,用于定制共振和非共振qcl,從而差分測(cè)量直接產(chǎn)生分析物濃度的定量測(cè)定。圖2c描述 ...
固定偏置下的發(fā)射光譜如圖4(a)所示。激光從1524nm開(kāi)始,MEMS加熱電流為8mA。在與激光模相鄰的較低波長(zhǎng)處可以看到被抑制的高階橫模。隨著加熱功率的增大,初始?xì)庀?4.3μm也增大。因此,單模發(fā)射波長(zhǎng)不斷向更高的值移動(dòng)。圖4 (a)連續(xù)波(CW)下,不同MEMS加熱電流下固定偏置19mA的VCSEL光譜。(b)調(diào)諧波長(zhǎng)隨MEMS加熱功率的變化。插入顯示調(diào)諧波長(zhǎng)對(duì)MEMS電流對(duì)于這種特殊的VCSEL,通過(guò)將MEMS電流增加到27mA,可以將激光波長(zhǎng)調(diào)諧到1584nm。這對(duì)應(yīng)于60nm的連續(xù)單模調(diào)諧,中心波長(zhǎng)為1554nm。在1584nm的發(fā)射波長(zhǎng)處,激光模式與下一個(gè)高階縱向模式競(jìng)爭(zhēng),當(dāng)ME ...
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