集體的中紅外吸收光譜電磁波譜2 ~ 25μm光譜范圍對應(yīng)的MIR區(qū)域與分子振動能重合。當(dāng)MIR光通過樣品時(shí),分子間鍵通過吸收與基態(tài)和激發(fā)態(tài)之差相同的能量而被激發(fā)到更高的振動態(tài)。這使得在該區(qū)域使用指紋吸收光譜檢測未知分析物以檢測特定鍵。傅里葉變換紅外光譜(FTIR)通常用于生物化學(xué)物質(zhì)的分析,以確定分析信息。但是,由于MIR中吸水性強(qiáng),通常不能使用長度超過10-20μm的比皿,較窄的比皿容易被真實(shí)樣品堵塞。利用衰減全反射(ATR)光譜與FTIR相結(jié)合的方法克服了這一問題。然而,傳統(tǒng)ATR元件中的離散反射次數(shù)受到嚴(yán)重限制,而使用光波導(dǎo)(本質(zhì)上是更薄的ATR元件)大大增加了單位長度的有效反射次數(shù),從 ...
的結(jié)果。對于吸收光譜數(shù)據(jù),利用R軟件中“MASS”包中的“Ida”函數(shù)建立了對菜籽油、棕櫚油和摻假油光譜進(jìn)行分類的線性判別校準(zhǔn)模型。 散點(diǎn)圖是一種可視化分類結(jié)果的有用方法。 具有第①和第②判別函數(shù)的函數(shù)如圖2所示。由圖2 ,我們可以看到菜籽油 (C)、棕櫚油 (P) 和摻假樣品 (A) 明顯分離。對于第①和第②判別函數(shù),記錄的跡線比例分別為 0.8304 和 0.1696。圖 2:散點(diǎn)圖“p”代表“棕櫚”樣本,“c”代表“油菜”樣本,而“a”代表“摻有油菜的棕櫚”樣本。純樣品和摻假樣品的判別函數(shù)值的堆疊直方圖用于顯示 LDA 的結(jié)果。 R 軟件中的函數(shù)“l(fā)dahist()”用于制作第①個(gè)判別函 ...
的電子能級(吸收光譜),(3)振動能級重排的效率(熒光壽命),(4)弛張回到基態(tài)電子能級(斯托克斯位移),(5)基態(tài)(發(fā)射光譜)內(nèi)振動能級的總體。熒光團(tuán)由吸收光譜、熒光壽命、斯托克斯位移和發(fā)射光譜表征。按照慣例,熒光壽命τ定義為熒光團(tuán)處于激發(fā)態(tài)的平均時(shí)間。在此區(qū)間內(nèi),強(qiáng)度I(t)減小到1/e或其原始值的36.8%。t時(shí)刻的衰變強(qiáng)度由樣本中所有物種i的一級動力學(xué)方程求和得到。其中α是指前因子或指數(shù)函數(shù)的幅值。多指數(shù)混合種的平均壽命(τm)是各種壽命(τi)與各種貢獻(xiàn)(αi)的加權(quán)之和。另外,在t時(shí)刻被激發(fā)的分子數(shù)為其中n(t)是t時(shí)刻處于激發(fā)態(tài)的分子數(shù)。在熒光壽命的檢測中,樣品由一個(gè)短的激勵(lì)脈沖 ...
cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外,躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極子選擇規(guī)則。因此,兩個(gè)圓形光模式只能耦合到某些過渡。例如,左圓偏振光可以激發(fā)從重空穴帶到自旋向下子帶的躍遷,但不能激發(fā)從重空穴帶到自旋向上子帶的躍遷。綜上所述,導(dǎo)帶的自旋不平衡結(jié)合光學(xué)選擇規(guī)則,導(dǎo)致左右圓偏振光的吸收光譜如圖1右側(cè)所示。計(jì)算曲線清楚地揭示了兩種圓光模式吸收系數(shù)的光譜依賴性不同,即系統(tǒng)對左右圓偏振光表現(xiàn)出不同的響應(yīng)。這表明,導(dǎo)帶中的自旋極化誘導(dǎo)了圓形雙折射,因此,兩種圓形光模式在通過半導(dǎo)體傳播時(shí)經(jīng)歷了不同的相移,這導(dǎo)致入射線偏振光的偏振面旋轉(zhuǎn)。圖2.4.2 K時(shí)n↑= 1.5·1017 cm?3和n ...
NIRS 吸收光譜的對數(shù)變換,該相對誤差在擬合范圍內(nèi)保持相當(dāng)恒定。圖6,校準(zhǔn)PLS 響應(yīng)變量作為參考值的函數(shù) (a)。校準(zhǔn)數(shù)據(jù)集的預(yù)測水分含量與參考水分含量 (b)圖7,參考值函數(shù)的PLS 響應(yīng)變量的驗(yàn)證 (a)。驗(yàn)證數(shù)據(jù)集的預(yù)測水分含量與參考水分含量 (b)。圖8,水分估計(jì)的均方根相對誤差。(a) 為校準(zhǔn)數(shù)據(jù)集獲得的結(jié)果,(b) 為驗(yàn)證數(shù)據(jù)集獲得的結(jié)果。 紅色虛點(diǎn)線是單次測量的平均值:(a) 中的 C_MEAN_ERR 和 V_MEAN_ERR。表1 PLS模型的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。C-RMSE和C-R2是指校準(zhǔn)數(shù)據(jù)集的均方根誤差和R平方值; V-RMSE 和 V-R2請參閱驗(yàn)證數(shù)據(jù)集的等效項(xiàng)。C_ ...
用于太赫茲到光頻率快速頻譜分析的1GHz單腔雙光梳激光器(本文譯自(Gigahertz Single-cavity Dual-comb Laser for Rapid Time-domain Spectroscopy:from Few Terahertz to Optical Frequencies )Benjamin Willenberg1,*,x, Christopher R. Phillips1,*, Justinas Pupeikis1 , Sandro L. Camenzind1 , LarsLiebermeister2 , Robert B. Kohlhass2 , Bj?rn G ...
振光的x射線吸收光譜與材料中特定元素的自旋和軌道矩聯(lián)系起來。因此,可以獲得元素的特定信息,這是超出價(jià)帶MO光譜的巨大優(yōu)勢。盡管在推導(dǎo)求和規(guī)則時(shí)涉及了大量的近似,但它們在實(shí)踐中是令人信服的。獲得自旋或軌道矩的精度約為10%至20%,但有時(shí)只有50%。Altarelli(1997)討論了各種x射線MO效應(yīng)。在標(biāo)準(zhǔn)MO克爾實(shí)驗(yàn)中檢測到的反射光的頻率與入射光的頻率相同。然而,可能存在一小部分以雙倍頻率反射的光。這被稱為二次諧波產(chǎn)生,或者,更一般地,作為非線性光學(xué)。對于中心對稱介質(zhì),當(dāng)反演對稱性被破壞時(shí),會產(chǎn)生二次諧波。Pan等人(1989)預(yù)測,在磁性表面層的情況下,二次諧波反射中會出現(xiàn)MO Kerr ...
變換紅外反射吸收光譜(FT-IRRAS)相比,IRSE在測定高反射率波長區(qū)域內(nèi)的介電函數(shù)(低至單分子層厚度)方面具有優(yōu)勢。另外,IRSE表征比FT-IRRAS表征有更多的實(shí)驗(yàn)參數(shù),可以獲取薄膜樣品的更多信息。圖1-3為利用橢偏儀在位監(jiān)控微晶mc-Si:H薄膜在ZnO襯底的生長。生長模型為島狀生長,因此在生長過程中,表面較為粗糙,通過模型構(gòu)建可以獲取薄膜表面粗糙度隨時(shí)間演變和生長速率和生長模式。圖1-3薄膜生長過程中表面的粗糙度隨著時(shí)間的演變1.3.2監(jiān)測顆粒吸附對于顆粒或者大分子層的吸附,橢偏儀可以檢測到其光學(xué)常數(shù)的變化,并且利用有效介質(zhì)模型提取顆粒的覆蓋率信息等。橢偏儀被廣泛應(yīng)用于生物大分子 ...
的連續(xù)可見光吸收光譜出現(xiàn)的峰位十分接近,相對于文獻(xiàn)其峰位發(fā)生藍(lán)移且兩峰值存在差異,這可能是由于Au薄膜上溶液和ITO帶來的影響。圖4-3沉積0s時(shí)(a)Psi和Delta(b)R隨波長變化2.2裝置對應(yīng)的光學(xué)常數(shù)圖4-4(a)是沉積之前測試得到的n、k隨波長的變化圖,從圖中可以看到短波段圖線較平滑,長波段數(shù)據(jù)波動大。n值在500nm附近出現(xiàn)峰,k值在600nm附近出現(xiàn)峰。500nm處n值存在躍遷,說明該處附近可能有等離子體共振峰的出現(xiàn)。圖4-4(b)是沉積之前測試得到的、,從圖中可以看到短波段數(shù)據(jù)曲線平滑,長波段數(shù)據(jù)波動大。、均在500nm附近出現(xiàn)峰,這歸因于Au表面等離子體共振。圖4-4沉積 ...
來,如長路徑吸收光譜,腔增強(qiáng)光譜,腔衰蕩光譜,光聲光譜等等。光譜學(xué)提供的主要優(yōu)勢是可以使用它們獨(dú)特的指紋來識別特定的分子。當(dāng)被分析的氣體中同時(shí)存在幾種分子時(shí),這是有益的。為此目的開發(fā)的設(shè)備可以基于高靈敏度,尋找特定氣體的百萬分之一體積(ppmv),十億分之一體積(ppbv)甚至萬億分之一體積(pptv)濃度,或者基于寬帶技術(shù),同時(shí)尋找許多物種。這些光學(xué)技術(shù)是非侵入性的,在大多數(shù)情況下只需要很少的預(yù)處理。大多數(shù)氣體光譜檢測裝置都是基于比爾-朗伯定律所描述的分子種類的吸收。因此,為了優(yōu)化器件的靈敏度,必須仔細(xì)選擇光源波長和相互作用長度。許多系統(tǒng)基于電磁波譜的近中紅外區(qū)域。這主要是因?yàn)榉肿拥幕拘D(zhuǎn) ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com