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BM 薄膜的單重態(tài)激子壽命τS1為10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 這是由于PC71BM有更多的缺陷位點(diǎn)，延遲了PL淬火。對(duì)于第二點(diǎn)，測(cè)量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏層中的單重態(tài)激子衰減與快速擴(kuò)散到供體-受體界面有關(guān)，而長(zhǎng)壽命組分與電荷分離后的電荷復(fù)合有關(guān)。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更長(zhǎng)，這意味著源自陷阱位點(diǎn)的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)中的電荷復(fù)合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表現(xiàn)出更快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)，這是由于有效的電荷分離和通過(guò)重新組合的陷阱密度進(jìn)行的 ...
激發(fā)態(tài)和亞穩(wěn)單重態(tài)(圖1)。基態(tài)和激發(fā)態(tài)由自旋三重態(tài)組成，可以被an極化。圖1.NV中心的能級(jí)圖。它包含基態(tài)和激發(fā)態(tài)，具有三個(gè)自旋亞能級(jí)和一個(gè)亞穩(wěn)態(tài)。與在室溫下容易被光漂白的傳統(tǒng)單發(fā)射體相比，自旋三重態(tài)地面層發(fā)出的發(fā)光特別有趣，因?yàn)槌诨^(guò)程具有極大的時(shí)間穩(wěn)定性。具有長(zhǎng)松弛壽命的NV晶格能量結(jié)構(gòu)中兩個(gè)缺陷自旋之間的室溫量子糾纏可能是量子計(jì)算的主要貢獻(xiàn)。此外，NV中心與晶格中其余原子之間的弱相互作用確保了高度穩(wěn)定的發(fā)射，這也是與標(biāo)記生物組織或表面表征(如熒光)相關(guān)的應(yīng)用中非常理想的特性。了解更多詳情，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：http://www.arouy.cn/three-l ...
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