有機熒光團的光致發光過程僅持續幾百皮秒到幾十納秒；另外不僅要獲取熒光壽命，還要還原熒光衰減曲線形狀，通常為了解決多指數衰減，必須能夠在時間上將記錄的信號解析到這樣的程度：由幾十個樣品進行衰減。使用普通的電子瞬態記錄儀很難達到所需的時間分辨率。 另外如果發射的光太弱則無法產生代表光通量的模擬電壓。 實際上光信號可能只有每個激發/發射周期的幾個光子。 然后信號本身的離散特性導致無法進行模擬采樣。 即使可以通過增加激發功率來獲得更多熒光，也會存在限制，例如，由于收集光學損耗、檢測器靈敏度的光譜限制或在更高激發功率下的光漂白。Z終，當觀察到的樣品僅由幾個甚至單個分子組成時，就會出現問題。使用時間相關單 ...

Vis) 和光致發光 (PL) 光譜。圖 1b 和 c 中的 MoS2 納米片是通過 CVD 方法合成的，用于PL信號的比較分析。正如圖1（b）所示，MoS2納米片的光譜在460，610，670處有特征峰，分別用A，B，C表示。A 和 B 峰對應于價帶頂部布里淵區K點的自旋軌道分裂引起的激子躍遷。C 與來自 d 軌道的帶間躍遷有關。隨著將塊狀 MoS2 轉化為量子點時發生的維度變化，MoS2 納米片的激子峰消失，并出現了新的吸收特征。由于量子尺寸效應，在 MoS2量子點中觀察到吸收峰藍移。此外，在 MoS2 QD 的 PL 光譜中，不存在 A 和 B 激子峰，并且在相對于原始 MoS2 的 P ...

的陷阱密度和光致發光（PL）衰減曲線，以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應效應。圖1 a) 包含阻擋層的有機半導體器件結構示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結構填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結構。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關閉 LED 來評估有機半導體器件的響應時間。如圖2所示，富勒烯受體有機半導體表現出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應時間受內部電容和電荷傳輸時間的影響，推測 PC71BM 具有較高的內部電容和較大的陷阱位點 ...

常見的拉曼信號增強方法拉曼散射依賴于聲子對光的非彈性散射，其效率非常低(通常每約105-107個光子中就會產生一個拉曼散射光子)，導致拉曼散射截面為10?26-10?31cm2。如果被探測材料的可用散射體積非常小，就像二維半導體的情況(散射體積等于激光光斑面積乘以μ2范圍內的面積乘以二維材料的亞納米厚度)，這是特別關鍵的。因此，測量激光功率密度保持在損傷閾值以下通常需要很長的采集時間，以獲得足夠好的信噪比。關于第②個限制，傳統光學測量中的SR是由光學衍射極限(使用高數值孔徑物鏡的激發波長的大約一半)決定的。因此，在現代微拉曼裝置中，當使用可見范圍內的較短激發波長時，可以實現的較小探測尺寸約為2 ...

與快速拉曼和光致發光成像技術聯用，該項技術將給科研工作者更便捷的手段進行與量子計算機等新興技術密切相關的單光子源研究。單光子源具有獨特的量子力學特性，其在量子技術和信息科學中得到了廣泛的應用，包括量子計算機開發和密碼學技術研究等等。常見的單光子源有金剛石中的氮空位（NV）色心、單個熒光分子、碳納米管和量子點等。反聚束實驗則是鑒別單光子源的重要表征方法。知識拓展”NV（Nitrogen-Vacancy）色心是金剛石中的一種點缺陷。金剛石晶格中一個碳原子缺失形成空位，近鄰的位置有一個氮原子，這樣就形成了一個NV色心。反聚束效應是一種量子力學效應，它揭示了光的類粒子行為。它是由于單光子源一次只能發射 ...

、鈣鈦礦器件光致發光和電致發光成像瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能。用IMA獲得的發光高光譜數據有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關，導致細胞的填充因子有限。圖1根據在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽能電池，在微尺度 ...

。通過高光譜光致發光成像分析損傷。Photon公司的高光譜平臺（IMA）由光學顯微鏡與CW532 nm 激光器和基于體積布拉格光柵的高光譜濾光片組成。該套系統在400nm至1000nm范圍內具有靈敏度，并提供高光譜（<2nm）和空間分辨率（~μm）。CIGS的典型PL研究是在局部激發下進行的，這導致電荷向較暗的區域擴散。全局照明產生的等電位減少了這種影響，并允許在更接近太陽能電池的實際工作模式下進行測量。圖1顯示了從高光譜數據中提取的P1和P2譜線周圍的PL曲線。PL圖顯示了P1線的邊緣附近的發射淬滅。進一步的研究表明，這種效應導致PL強度降低了約30%，而不是由于成分變化。這一觀察結果 ...

法是穩態偏振光致發光(PL)測量。通常，這是通過使用連續波(cw)來實現的，平面內圓偏振光源具有接近帶隙能量分離的光子能量。這將在半導體中產生凈非平衡自旋取向具有適當的自旋偏振光學躍遷的系統。當系統松弛時，會有一個優先的自旋方向，這將表現為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化，P = (I+?I?)/(I+ + I?)。描述半導體P的穩態速率方程為：式中P0為激發時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場中進一步研究。事實上，對于相對于樣品施加的面外場，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結果 ...

低溫真空)的光致發光衰減，作為這種衰減發生速度的一個例子。在環境條件下，硒的排放衰減迅速，而在其他兩種環境條件下，其降解速度要慢得多。InSe的表面敏感性促使人們采取措施降低氧化速率，從而穩定薄樣品的光學性質。圖1.左圖顯示了在532 nm, 1 mW激發光源下，低層InSe的光致發光隨時間的衰減。藍色是在空氣中，綠色是在真空中，紅色是在10k的真空中。右圖說明了在光照下導致InSe快速降解的三種化學過程:(I)氧化，(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護薄層銦不被降解，常用的技術是干封裝。該方法采用二維材料，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層，防止空氣和水分進入。西北 ...

特性[1]。光致發光（PL）或電致發光（EL）的強度映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖，覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率，因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要。利用這些技術，研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題，以確保生產出高效且可靠的太陽能電池。圖1、1040 nm的高光譜數據中提 ...