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真空)的光致發(fā)光衰減，作為這種衰減發(fā)生速度的一個(gè)例子。在環(huán)境條件下，硒的排放衰減迅速，而在其他兩種環(huán)境條件下，其降解速度要慢得多。InSe的表面敏感性促使人們采取措施降低氧化速率，從而穩(wěn)定薄樣品的光學(xué)性質(zhì)。圖1.左圖顯示了在532 nm, 1 mW激發(fā)光源下，低層InSe的光致發(fā)光隨時(shí)間的衰減。藍(lán)色是在空氣中，綠色是在真空中，紅色是在10k的真空中。右圖說明了在光照下導(dǎo)致InSe快速降解的三種化學(xué)過程:(I)氧化，(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護(hù)薄層銦不被降解，常用的技術(shù)是干封裝。該方法采用二維材料，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層，防止空氣和水分進(jìn)入。西北大學(xué) ...
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