穿過有源區的受激輻射在傳統的QC激光器設計中,大部分電子都聚集在z低注入態和z高激光態。在閾值以下,電子主要通過縱向光學LO聲子散射穿越有源區。在閾值以上,隨著腔內的光強變得越來越強,電子通過受激輻射在活躍區域的傳輸速度越來越快。因此,在有源區域上的電壓不再增加得那么快。圖1我們展示了一種基于注入器和有源區域之間“兩步”耦合的新型QC激光器設計,通過簡單地改變施加電壓,為高于閾值的激光器提供寬波長調諧范圍。該設計的導帶部分如圖1所示。它是基于雙聲子共振對角躍遷有源區。在注入器基態g和上層激光態u之間插入一個耦合態c。以LO聲子散射為主的從注入態到耦合態的散射壽命約為1.5 ps,而上激光態的散 ...
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