5nm的Ta緩沖層。為避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt組成的蓋層。在硅襯底上測(cè)量了15 nm厚的Ni樣品，并對(duì)其進(jìn)行了縱向幾何測(cè)量。如果您磁學(xué)測(cè)量對(duì)有興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國(guó)防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝，培訓(xùn)，硬件開發(fā)，軟 ...

nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術(shù)制備了厚度為15 nm的CoPt3點(diǎn)。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場(chǎng)為±3.7 kOe。圓點(diǎn)的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內(nèi)變化。下面只給出1 μm點(diǎn)的結(jié)果。圖1實(shí)驗(yàn)配置能成像納米結(jié)構(gòu)的形貌以及磁化的動(dòng)力學(xué)。圖1為泵脈沖激勵(lì)后直徑為1μm的CoPt3點(diǎn)在不同時(shí)間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當(dāng)前的測(cè)量中，激發(fā)不是固定在點(diǎn)的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監(jiān)測(cè)磁點(diǎn)磁化的空間動(dòng)態(tài)。了解更多詳情，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：https://www.auniontech ...

nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時(shí)間的變化泵浦激勵(lì)密度為4 mJ cm?2，外加磁場(chǎng)設(shè)置為3.5 kOe，使靜態(tài)磁化達(dá)到飽和。插圖描繪了超快磁化動(dòng)力學(xué)的詳細(xì)視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發(fā)密度為8 mJ cm?2。初始退磁發(fā)生在泵浦脈沖期間，對(duì)應(yīng)于自旋的激光加熱，發(fā)生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續(xù)時(shí)間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對(duì)于zui大激勵(lì)密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發(fā)生在兩個(gè)主要步驟。第1個(gè)對(duì)應(yīng)于自旋和晶格之間的平衡。兩種強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)分別為2.5和 ...

空穴傳輸界面緩沖層，以提高基于PEDOT：PSS的光電器件（包括有機(jī)光伏（OPV）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED））的器件性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。利用密度泛函理論（DFT）計(jì)算，本文提出了石墨烯在O-種功能化過程中化學(xué)結(jié)構(gòu)變化的機(jī)理。O-Gr中的含氧空位可以通過抑制電荷復(fù)合來有效地接受空穴并傳輸它們。紫外-臭氧處理的佳干氧化過程成功地引入了氧并在石墨烯中產(chǎn)生了空位，但避免了石墨烯的強(qiáng)氧化。O-Gr夾層的引入促進(jìn)了高效的電荷遷移，改善了上層的薄膜性能，并抑制了有機(jī)光電器件（包括有機(jī)光伏（OPV）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED））中的漏電流。因此，采用 O-Gr 的 OPV 器件在開路電壓為0.716 V能達(dá)到 ...