以將光纖中的光耦合到芯片上的亞微米鈮酸鋰光波導上。圖1所示。(a)馬赫-曾德電磁場傳感器原理圖，(b)微環諧振器傳感器，(c)馬赫-曾德干涉儀耦合微環諧振器原理圖。對于Mach-Zehnder器件結構，耦合光使用1×2多模干涉(MMI)耦合器裝置在Mach-Zehnder干涉儀的兩臂之間進行分割。Mach-Zehnder干涉儀的一個臂被極化以逆轉鈮酸鋰晶體的自發極化方向。因此，對于一個手臂，折射率增加給定的e場，而對于相同的e場，另一個手臂的折射率減少。因此，通過兩個臂的光的相位在相反的方向上被調制。輸出的MMI耦合器將這兩個調相信號組合在一起，產生一個強度調制信號。基于大塊鈮酸鋰結構的Mac ...

。每個用于將光耦合進出薄膜鈮酸鋰電光調制器的光柵耦合器具有5dB插入損耗和90nm帶寬。具有0.7um間隙的6mm長薄膜鈮酸鋰電光調制器的半波電壓為7.4V。該薄膜鈮酸鋰電光調制器的消光比(ER)約為24 dB。我們研究了電光調制器設備的直流漂移。薄膜鈮酸鋰電光調制器設備響應的高速測量表明，使用低成本OSA可以檢測到10kV/mHz0.5的太赫茲電場。基于這些結果，我們預測，通過使用這些薄膜鈮酸鋰電光調制器調制光信號，并使用更好的光學光譜分析儀檢測調制后的光信號，可以檢測到強度低至約100V/mHz0.5的太赫茲電場。上海昊量光電作為光纖電場傳感器的中國代理，為您提供專業的選型以及技術服務。對 ...

0nm，發射光耦合到標準多模光纖中。在1550nm處，MEMSVCSEL的閾值電流為5.8mA，在32mA處發生熱滾轉，對應于光纖耦合的Max輸出功率為1.42mW。在整個電流工作范圍內，器件上的電壓降保持在1.84V以下，表明器件中的串聯電阻較低。閾值電壓在室溫下為1.15V，是衡量異質勢壘處電壓降的一個很好的指標。圖5 研究了直徑為14μm的BTJMEMSVCSEL在1550nm處發光的光電流電壓特性。閾值電流和滾轉分別為5.8mA和32mA測量的SMSRs、閾值電流、Max輸出功率和不同調諧波長對應的滾轉電流如圖6所示。與固定波長VCSEL相比，由凹頂MEMSDBR、可變氣隙、半VCSE ...