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PPLN光纖耦合封裝模塊
光纖耦合PPLN波導
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太赫茲探針
因此器件光電轉換效率實際被低估了一倍左右。通過光電流成像的校正,器件的實際光電轉換效率達到1%。相關研究成果發表在Small Methods雜志上(DOI:10.1002/smtd.201700119)上。光電流成像系統,為研究納米光電子器件中光生載流子的傳輸、分離與復合過程,以及進一步優化器件結構、提高器件光電轉換效率提供了極大的幫助。產品介紹:1.XperRam C series超高性價比,可同時實現穩態熒光成像功能獨特的單振鏡掃描技術,具有優異的掃描精度和重復性激光掃描分辨率<0.02um,重復性小于0.1um體相全息光柵透過率>90%,比反射式光柵告30%,信號傳輸效率更高 ...
增加,獲得高轉換效率。您可以通過我們的官方網站了解更多的產品信息,或直接來電咨詢4006-888-532。 ...
生光子的最高轉換效率。這通常是通過晶體的端面正入射,將聚焦的光耦合到PPLN晶體的中心來完成的。對于一種特定的激光束和晶體,存在一種最佳的光斑尺寸來實現最佳的轉換效率。如果光斑尺寸過小,束腰的強度就會較高,但瑞利長度比晶體短的多。因此,在晶體輸入端的光束尺寸過大,導致在整個晶體長度上平均強度降低,就會降低轉換效率。一個好的經驗法則是對于具有高斯光束分布的連續激光,光斑尺寸應選擇在瑞利長度為晶體長度的一半時的大小。光斑尺寸可減小一定的量,直到獲得最高效率。PPLN具有高的折射率,在每個未鍍膜的面上導致14%的菲涅耳損耗。為了增加晶體的透過率,晶體的輸入和輸出端面鍍了增透膜,從而將每個面的反射降到 ...
MAPbI3是應用最廣泛的鈣鈦礦吸收材料,它具有優越的光吸收條件、低的結合能、載流子壽命長、雙電荷轉移和制備簡單等性能。這些特性是MAPbI3 PSCs可以實現高能量轉移效率(PCE)的關鍵因素。使用源表為Keithley 2430太陽模擬器在0.25cm2的陰罩下測量了J-V曲線,同時在AM為1.5G的輻照下校準Si-參比電池。時間分辨光致發光譜(TRPL)使用(XperRam Ultimate)的激光系統,激發光源為405nm進行測量分析。如圖1(a)所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結構的光透射性能,表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能,由于具有高的結 ...
的脈沖系統中轉換效率高達80%。在連續光系統中,腔內倍頻效率已實現超過50%。如何使用PPLN晶體長度:當選擇一種晶體時,晶體長度是一個重要因素。對于窄帶連續光源,我們的20mm到40mm的較長晶體長度將提供更高的效率。然而,對于脈沖光源,長晶體對激光帶寬和脈沖寬度敏感性增加,會具有負面效應。對于納秒脈沖,通常推薦10mm長度,而較短的0.5mm到1mm長度則適用于飛秒脈沖系統。極化:為了利用鈮酸鋰的最高非線性系數,輸入光應該是e偏振的,即偏振態必須與晶體偶極矩匹配。通過使光的偏振軸與晶體的厚度方向平行可實現這一點。這可用于所有非線性相互作用。產生二次諧波需要z軸平行于偏振方向聚焦和光學布局: ...
能達到的最佳轉換效率也取決于以下幾個因素:連續波或脈沖泵源輸入功率:在高功率時,可達到增益飽和泵浦/SHG波長:在低增益時,涉及更高能量光子(短波長)的相互作用,轉換效率更高。1064nm→532nm對于低增益連續波,典型的轉換效率為2%/Wcm。例如,對于1.5W的1064nm泵浦,40mm長的MgO:PPLN晶體,532nm的預期輸出是180mW。在更高的功率下,Covesion在10W光源下可以達到1.5%/Wcm,在532nm波長下從20mm長的晶體產生3W。在連續波系統中,腔內的轉換效率已被證明超過50%。對于納秒源(~10KHz,~50uJ),通常可以達到50%的效率。1550nm ...
發電機的能量轉換效率為88%。結果表明,在雞胸肌上施加1000 V (~ 500 V mm?1)120次脈沖,脈沖持續時間為50 μs (1 Hz),可使水分的有效擴散率提高13-24%,對流空氣干燥時間縮短6.4-15.3%。這些結果為實驗設備的設計提供了新的信息,以改進和優化小規模的肉類預處理。柔性、小規模的PEF設備是工業發展新工藝的必要步驟,可以減少肉類行業的設備規模和工藝能耗。https://doi.org/10.1007/s11947-019-02360-534. 一種能夠通過電阻抗光譜識別低數量乳腺癌細胞的生物傳感器乳腺癌(BC)是一種惡性疾病,在范圍內發病率很高。死亡的主要原因 ...
在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束質量方面,推動QCL從一個實驗室工具成為一個廣泛的產品,造福于公眾。實驗結果表明,WPE為21%,輸出功率為5.1 W的室溫連續波工作效率高,輸出功率為0.51 W的環形腔面發射QCL為室溫連續波工作效率高,D1個β型分布反饋QCL為[11]。在本文中,我們介紹了近年來在QCL方面取得的一些突破,并在接下來的章節中進行了詳細討論,即大功率高效QCL;λ~3-4 μm的高性能QCL λ~6-10 μm的寬帶QCL,波長敏捷QCL;具有片上波束組合的QCL用于廣泛的電子調諧;在中紅外QCL中基于差頻產生(DFG)的太赫茲源。2. 大功率高效量子級 ...
的峰值功率,轉換效率為 66% [2]。下面將討論有關實驗裝置、倍頻晶體和產生這些結果的聚焦條件的詳細信息。這些基于 MgO:PPLN 的激光系統已被用于多種應用,包括超過 54 厘米的量子疊加演示 [3]、精密重力計 [4]、用于 BEC 的雙物種原子干涉儀 [5] 和新的一種同時測量重力和磁場梯度的高精度傳感器 [6]。11W 780nm單次通過倍頻系統ANU 的 Quantum Sensors 和 Atom Laser Group 展示了 11.4W 窄線寬激光源 [1]。 Sané 等人在單程倍頻方案中使用 30W 1560nm 光纖激光器,得到了 6kHz 線寬 780nm 激光,倍 ...
兩位數的電光轉換效率。高性能LWIR器件的z大挑戰并不容易通過簡單地擴展到適用于MWIR范圍內的qcl的LWIR范圍解決方案來克服,盡管如此,通過使用應變補償器件設計和制造方法,利用從高效MWIR QC激光器開發中獲得的知識,已經取得了一些重大進展。總體而言,開發高功率、高效率的LWIR qcl的方法可以與前幾年在實驗和理論上中看到的MWIR發展進行比較,盡管受到與LWIR操作相關的特殊挑戰的影響,例如長波長的自由電子光學損耗增加、子帶間增益降低、光學約束減少、低功耗和低功耗等。更厚的半導體有源層導致更差的熱性能和更具有挑戰性的制造,等等。值得注意的是,2001年Beck等人基于9.1μm i ...
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