導體P的穩態速率方程為：式中P0為激發時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場中進一步研究。事實上，對于相對于樣品施加的面外場，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結果可用于研究磁場與材料中載流子自旋的耦合程度。注意，復合壽命與自旋壽命的比值決定了在半導體系統中觀察光學取向的能力。隨著比值的增大，P的量減小。這就是這種測量方法的局限性，如果τs?τr，這種測量方法就不適合研究半導體系統中的光學自旋特性。時間分辨測量使用脈沖激光的時間分辨研究可以繞過穩態測量的限制，允許直接測量系統中的載流子動力學。時間分辨光致發光(TRPL)和瞬態反射(T ...

步耦合設計的速率方程模型和從Schr?dinger-Poisson求解器獲得的參數11進行常規設計的壽命的計算結果可以驗證這一點，如圖5b。激光上態壽命的減小和電子在注入器內的積累的減緩，導致在有源區電壓升高較高，而在注入器上電壓升高較低。此外，與傳統的反交叉對角線設計相比，該設計具有更大的動態電壓范圍，這可以從圖中所示的光電壓電流密度特性中看出。5a_x0005_。從激光閾值到翻轉點的電壓范圍幾乎是閾值處施加電壓的30%，而傳統設計則小于10%簡單地說，更大的電壓動態范圍和在有源區域上更大的電壓增加有助于更寬的電壓誘導波長調諧范圍，即100 cm?1。圖5在實際應用中，質量控制激光器的性能一 ...

尼偏移。通過速率方程分析，我們可以發現如下的相互關系：包括光子壽命、約束因子、增益、增益導數和隨載流子和光子密度的變化、載流子損耗和自發產生的光子速率。圖3 1.55um VCSEL的小信號調制性能，提高了調制帶寬和溫度范圍。在25℃時，超過12ghz的調制帶寬可以被描述為(a)，甚至在85℃的高溫下(b)10ghz的調制帶寬可用。由于參考激光器和VCSEL具有相同的芯片布局，僅改變了外延特性，我們可以推斷出更高的應變和模態增益偏移明顯提高了差分增益，從而將K因子從0.4ns降低到0.3ns，從而提高了阻尼極限。盡管在室溫下增加了阻尼偏移，但調制性能，特別是在較高溫度下，明顯優于參考激光器。圖 ...

CSELs的速率方程分析，fr可表示為D因子量化了諧振頻率隨電流的增加，在圖8(b)中由低自熱狀態下電流的fr(I)斜率確定。在本例中，器件的D因子為1.7GHz/mA1/2，Max諧振頻率為5.81GHz。線性擬合曲線的彎曲是由于在19mA偏置電流下發生的熱阻尼效應。相對較小的d因子可能是由于并入氣隙導致的大腔長以及對MEMSDBR的高穿透深度和大電流孔徑。為了進一步提高S21響應的3db帶寬，需要更大的d因子。采用更短的腔長設計、微調DBR電介質的折射率、減小孔徑尺寸以及通過適當的電弧減小光學損耗等措施可以改善該特性。|H(f)|2的3db角頻率相對于高于閾值的電流的平方根也繪制在圖8(c ...