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結則是由一個P型半導體和N型半導體組合而成。N型半導體：N型半導體是在純凈的硅晶體中摻入五價元素（磷和砷）組成的。雜質中四個價電子與硅組成共價鍵，剩余一個稱為自由電子（載流子）。因此N型半導體中載流子是自由電子。P型半導體：P型半導體是在硅中摻雜三價元素（硼）組成的。它和硅中價電子組成共價鍵時由于缺少一個價電子，從而形成空穴（載流子）。因此P型半導體中的載流子是空穴。將P型半導體與N型半導體結合之后，由于兩側存在濃度差（N區(qū)多自由電子，P區(qū)多空穴），就形成了PN結（阻擋層）。N區(qū)自由電子向P區(qū)擴散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)就形成帶正電離子，P區(qū)就形成帶負電離子。于是PN結形成了由N區(qū)指向P區(qū)的 ...
壓的情況下，P型半導體中多數(shù)載流子空穴的分布是均勻的。在柵極施加小于P型半導體閾值電壓Uth時，在半導體內產生耗盡區(qū)。當柵極電壓繼續(xù)增加，并大于閾值電壓后，耗盡區(qū)的深度和柵極電壓成正比。將半導體與絕緣界面上的電勢記為表面電勢Φs，表面電勢隨著柵極電壓Ug的增加而增加。下圖描述了二者在不存在反型層電荷時，不同氧化層厚度下表面電勢和柵極電壓之間的關系。從曲線中看出，氧化層厚度越薄，曲線的直線性越好。當柵極電壓Ug不變時，表面電勢Φs和反型層電荷密度Qinv之間的關系。下圖可以看出，Φs隨著Qinv的增加而線性減小。電子之所以被吸附到半導體和氧化層的交界面處，是因為那里的勢能最低。在空勢阱情況下，不 ...
分為n型或者P型半導體如圖1-8所示。在Cu2O中，銅空位出現(xiàn)淺的受主能級，氧間位形成深能級缺陷，形成能分別為1.8eV、1.3eV。銅間位出現(xiàn)在深能級，形成能為2.5eV左右。氧空位具有相對較低的形成能，但是它不穩(wěn)定。通常情況下容易得到Cu空位P型Cu2O半導體。圖1-8(a)為銅多氧少(b)為銅少氧多情況下Cu2O本征缺陷的形成能實驗室前期通過電化學沉積控制生長條件可得到n型的Cu2O半導體。如圖1-9所示，在特定的電壓、pH和溫度下才能實現(xiàn)Cu2O的電化學沉積。前期研究發(fā)現(xiàn)在不同電壓下制備的薄膜有Cu2O相、Cu-Cu2O相和Cu相等不同的相。沉積電壓對Cu2O薄膜的形貌、光學性質影響較 ...
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