深度分辨光纖光度測定（轉(zhuǎn)譯自文獻(xiàn)Depth-resolved fiber photometry with a single tapered optical fiber implant）活體熒光檢測可用于記錄和研究自由運(yùn)動動物腦深部遺傳定義的神經(jīng)群的功能信號。例如，纖維光度法通過監(jiān)測特定細(xì)胞類型神經(jīng)活動時熒光隨時間變化來實現(xiàn)。這些方法推動了基于光子學(xué)和光電子平臺技術(shù)以及使用多路復(fù)用技術(shù)記錄多個亞種群活動方法的發(fā)展。通常情況下，光纖測量方案依賴于扁平切割光纖進(jìn)行刺激和收集熒光2-9,11 - 19。然而，由于組織散射和吸收效應(yīng)，扁平切割光纖的可訪問記錄深度僅限于光纖尖端附近，這與探針的幾何形狀相結(jié) ...
透射測量的吸光度經(jīng)過SC30雜散光算法校準(zhǔn)以后線性度大于3AU。上海昊量光電設(shè)備有限公司作為德國INSION在中國地區(qū)唯yi的代理合作商，常年活躍在國內(nèi)分子光譜，近紅外光譜圈，給更多的客戶帶來優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。針對insion系列光譜儀，公司備有各種型號的樣品供客戶測試評估，還可以幫助可以搭建實驗原型機(jī)，各種光譜測量系統(tǒng)等。如果您對近紅外光譜系統(tǒng)有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.arouy.cn/three-level-57.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器 ...
橢偏測量。與光度法相比，該技術(shù)通過四分之一波片（QWP）和旋轉(zhuǎn)線性偏振片（RLP）插入相移，根據(jù)旋轉(zhuǎn)線性偏振片的方位角進(jìn)行連續(xù)采集，在恒定旋轉(zhuǎn)速度下，選擇具有相等角度間隔的三個角度，在恒定時間內(nèi)得到三幅圖，用于測量納米材料厚度，結(jié)構(gòu)如下圖所示。三步相移成像橢偏儀結(jié)構(gòu)示意圖其中，使用QWP和RLP插入相移。由于相移圖像是根據(jù)RLP的方位角連續(xù)采集的，所以這種方法屬于時間相移技術(shù)。由于具有公共光路，時間相移技術(shù)相比空間相移技術(shù)具有更高的精度。如果您對橢偏儀相關(guān)產(chǎn)品有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.arouy.cn/three-level-56.html相關(guān)文 ...
恒 . 基于光度法及混合法的自動橢偏儀研究[D]. 廣州: 華南師范大學(xué), 2005: 21-307崔高增 . 深紫外成像光譜橢圓偏振儀校準(zhǔn)方法研究 [D]. 北京：北京工業(yè)大學(xué), 2014: 12-16.8吳啟宏 . 與消光式兼容的光度橢偏儀的原理[J]. 光學(xué) 學(xué)報, 1987, 7(7): 618-621.9張裕;連潔;魏銘洋;姜清芬;王宸琳;王月明;許鎮(zhèn);.橢偏成像技術(shù)研究進(jìn)展[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展,2022(10).10代恒 . 立式成像橢偏儀研制及應(yīng)用[D]. 武漢: 華中科 技大學(xué), 2018: 7-10.更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電 ...
的優(yōu)點。隨著光度式成像橢偏儀的出現(xiàn)和發(fā)展，測量的速度和精度也逐步提高，促進(jìn)了該技術(shù)進(jìn)一步與生物技術(shù)的結(jié)合，與酶聯(lián)免疫法和放射免疫法檢測形成互補(bǔ)，在生物醫(yī)學(xué)、細(xì)胞學(xué)和臨床醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的研究中發(fā)揮重要的作用。橢偏儀的數(shù)據(jù)處理過程是由測得的橢偏參量Y和D反演得出薄膜參量的過程。在大多數(shù)條件下, 由于系統(tǒng)待測參量為兩個或者兩個以上, 解析解很難直接求解得到, 這需要使用數(shù)值算法求得。 數(shù)值反演算法首先需要確定一種評價函數(shù), 該函數(shù)變量是待求參量。使得評價函數(shù)具有zui小值的參量值就是待求參量的解。評價函數(shù)有多種形式, 典型的評價函數(shù)為其中N是測量次數(shù), 和為第i次的測量值, Dc和Yc為由薄膜參量決定的 ...
和EL圖以及光度絕對校準(zhǔn)方法，研究人員可以使用廣義普朗克定律來提取與電池zui大電壓直接相關(guān)的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂（Δμeff）（見圖1（c）和（d））。借助太陽能電池和LED之間的互易關(guān)系，可以從EL圖像中推導(dǎo)出外部量子效率（EQE）。在樣品的整個表面上獲得微米級的基本特性有助于改進(jìn)制造工藝，從而達(dá)到更高的電池效率。圖2.（a）集成PL發(fā)射和（b）集成EL發(fā)射的高光譜圖像。使用廣義普朗克定律，可以推導(dǎo)出（c）和（d）Δμeff映射。改編自[3]。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.arouy.cn/details-1007.html相關(guān)文獻(xiàn)：[1] Yo ...
的縱向克爾感光度下成像。這兩種鐵磁薄膜由非磁性間隔膜解耦，具有正交的誘導(dǎo)各向異性，因此在頂層存在垂直取向的180?疇結(jié)構(gòu)，在底層存在水平取向的180?疇結(jié)構(gòu)。然而，在這兩幅圖中，只有頂層的對比。具有橫向靈敏度的圖像的區(qū)域?qū)Ρ葢?yīng)該是可見的。顯然，80納米厚的頂層太厚，無法與底層形成直接對比。底層水平疇的存在只能通過頂層的電荷補(bǔ)償磁化偏移間接可見。它們形成于左右邊緣，特別是在元素中間的疇壁交叉點，在橫向Kerr圖像中用圓圈標(biāo)記。圖2.非晶CoFeSiB (80 nm)/SiO2 (20 nm)/CoFeSiB (80 nm)夾層元的Kerr圖像，在兩種正交的靈敏度條件下拍攝，從而揭示了同一域結(jié)構(gòu)的 ...
開發(fā)的光譜和光度絕對校準(zhǔn)程序的幫助下，可以確定樣品表面每個點在每個波長上發(fā)射的光子的絕對數(shù)量。這一獨特功能使研究人員能夠直接從聚光圖像中獲得細(xì)胞的準(zhǔn)費(fèi)米級分裂圖（Δμeff）。準(zhǔn)費(fèi)米級分裂與電池的zui大可實現(xiàn)電壓和飽和電流直接相關(guān)，因此非常值得關(guān)注。圖1展示了獲得的 Δμeff/q。測得的準(zhǔn)費(fèi)米級分裂為 Δμeff = 1.1676 ± 0.010 eV，在電接觸（圖1右中間的垂直藍(lán)線）和電池外部邊界附近有小幅下降。研究結(jié)果與有關(guān)砷化鎵的文獻(xiàn)研究一致。圖1、左:以絕對值測量的相應(yīng)光譜。中間的黑色部分是電觸點。右圖:準(zhǔn)費(fèi)米能級在激光下的分裂圖。如果您對高光譜暗場顯微鏡有興趣，請訪問上海昊量光電 ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
