SEL與增強調制帶寬和溫度范圍-調制性能與高溫操作調制性能由于光學諧振腔中的載流子和光子密度非常高，內部調制行為表現出更高的阻尼，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此，VCSELs的特點是具有較小的松弛振蕩超調，可以補償寄生滾轉。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內確定優越的調制性能。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示。散點代表測量數據，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內在參數。在這里，我們展示了先前和改進設計的阻尼率與共振頻率fR平方的關系，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方程分析，我們可以 ...

控制，泵浦源調制帶寬>100 kHz。激光器輸出光束被分成兩路，一路與1550nm赫茲量級線寬連續激光器拍頻，得到激光器某一個梳齒的相位噪聲信息；另一路用于載波包絡相位零頻探測，首先通過一個色散補償光纖(PM-DCF)，然后通過兩級功率放大和光柵對壓縮脈沖，產生脈寬260fs、平均功率3.3W激光脈沖。隨后脈沖被送入約30cm長ND-HNLF，根據FROG測量結果，其脈沖寬度小于70fs，平均功率1.8 W，峰值功率約為13kW。然后連接~ 30厘米長HNLF產生倍頻程頻譜，波長覆蓋從970~2200nm。用PPLN晶體對2000nm波段進行倍頻后與1000nm基頻光一同輸入共線f-to ...

動態范圍和高調制帶寬。通過使用快、慢壓電傳感器（PZTs）或電光調制器（EOMss），用于控制的光學參考鎖相（ 穩定性）方案顯然已經成熟[20-24]，因此可以在超過10 kHz的頻率范圍內抑制相位噪聲。該方案可以支持一個sub-MHz的響應帶寬[23]。傳統的穩定其他自由度的方法是通過泵浦電流調制[24-27]或腔外聲光調制器[20,28,29]反饋誤差信號來調節泵浦功率。可實現的帶寬已擴展到100 kHz以上。受激壽命的長短主要取決于激光腔的增益和腔體的設計。然而，在許多應用中，降低在高頻區域的快速相位波動是必要的，如標準傳輸[30,31]和高諧波產生[32,33]。為了抑制的快速相位波動 ...

i大限度利用調制帶寬。這是必要的，因為AOD通常在升頻的次倍頻通帶上工作，以避免諧波干擾。用于驅動AOD的射頻頻率梳的直接數字合成（DDS）定義了每個像素的激發，而這是通過特定的射頻和相位決定的，從而導致射頻頻率梳與檢測信號之間的相位相干性。而這種相位相干性可以使用相敏數字鎖相放大器的并行陣列使得圖像多路分解，這可以在Matlab中實現。FIRE的并行讀出將導致zui大像素速率等于AODF的帶寬。圖2顯示了FIRE顯微鏡的典型輸出。檢測到的時域信號(圖2a)是來自一排像素的射頻標記發射的傅里葉疊加。使用短時傅里葉變換計算的時間分辨頻譜(圖2b)揭示了樣本在水平行內位置相關的頻率成分。而樣本的垂 ...

10THz的調制帶寬，實驗表明調制速度接近1THz。電光調制器的頻率相關傳遞函數可由下式表達式中，l、ωRF、nRF、no分別為電光調制器長度、射頻頻率、射頻折射率、光學折射率。對于我們目前正在生產的使用鈮酸鋰厚度為600 nm的非好相位匹配器件，圖2顯示了不同長度器件的歸一化調制響應∣TRF∣2作為調制頻率的函數。使用我們目前的600 μm長器件，理論帶寬接近600 GHz。圖2所示。計算了不同器件臂長TFLN(厚度為600 nm)調制器的調制帶寬。對于微環結構，生產了兩種類型的器件。圖1(b)顯示了一個簡單的環形結構耦合到波導。對間隙進行了優化，以實現臨界耦合。將激光波長調整到接近器件的共 ...

紀錄高小信號調制帶寬和25Gb/s的數據速率。因此，這些設備可以很好地作為100G以太網解決方案中獨特的低成本和高數據速率激光源。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設備安裝，培訓，硬件開發，軟件開發，系統集成等服務。您可以通過我們昊量光電的官方網站www.arouy.cn了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...

用于10G以太網的1.3μm InGaAsInP VCSEL在1.3μm波長范圍內發射的垂直腔面發射激光器（VCSELs）已經達到一定程度的成熟，可以進入工業應用。光通信模塊中更小的外形尺寸和更低的功耗標準增加了對新一代超低功率長波激光器的需求。在IEEE 802.3ae推薦中找到10GBASE-LR（遠程）標準，描述了10G以太網在1.3μm的10G以太網，在10km的廣泛部署的標準單模光纖（SMF）的鏈路上。對于10GBASE-SR（短距離）標準，850nm VCSELs已經被用作具有成本效益的光源。近年來，為了提高VCSEL在1.3μm波長下的性能，人們做了很多努力，包括晶圓熔接器件和含 ...

們首次進行了調制帶寬超過10GHz的1.55um VCSEL陣列的數據傳輸實驗，并提出了一種新的可擴展帶寬升級的應用方案。設備結構本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結構是先前發表的高速1.55um VCSEL結構，單片集成到一維陣列結構中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導致如圖1所示的結構，具有10um厚的低介電常數鈍化苯并環丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側觸點可以在設備的頂部和底部進行訪問，以實現各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散 ...

.5GHz的調制帶寬。對于大于3mA的偏置電流，可以找到高于7ghz的平坦調制帶寬，足以以10Gb/s的速度傳輸數據。這些結果適用于VCSEL陣列中的所有激光器。請注意，對于4毫安以上的潛水電流，帶寬和輸出功率幾乎是平坦的。VCSEL陣列的頻率響應和調諧特性在3mA偏置電流以上，帶寬足以達到10Gb/s測量了兩種波長分別為1550nm和1570nm的CWDMVCSEL陣列的調諧特性。圖4(a)顯示了在室溫下未冷卻得到的結果。帶寬升級的VCSEL特性：(a)兩個CWDMVCSEL陣列(b)高速VCSEL的諧振頻率與驅動電流高于閾值的平方根的調諧特性在圖4(b)中，共振頻率與高于閾值的驅動電流的平 ...

用。1.1 調制帶寬太赫茲頻率調制的關鍵技術是目前正在開發的薄膜鈮酸鋰技術。使用薄膜鈮酸鋰，可以完美地相位匹配太赫茲波信號和光信號，實現高達幾十太赫茲的調制速度是可行的。這種相位匹配之所以可能，是因為太赫茲信號的有效折射率（由于其波長很長）不受亞微米厚的鈮酸鋰薄膜的影響。太赫茲波信號的有效折射率幾乎等于二氧化硅（或石英基底）的折射率。石英在太赫茲頻率下的折射率約為2。另一方面，對于波長較小的光信號(即1.55 um)，導模的有效折射率接近鈮酸鋰的光學折射率，也近似等于2。因此，在薄膜鈮酸鋰波導調制器中實現太赫茲信號和光信號的相位匹配成為可能。圖1(a)顯示了薄膜鈮酸鋰電光調制器的結構。薄膜鈮酸 ...